BCD工藝概述

趨勢與展望Outlook featuresBCD工藝概述陳志勇1,黃其煜2,龔大衛2(1.上海交通大學(xué)微電子學(xué)院,上海200030上海先進(jìn)半導體制造股份有限公司,上海200233摘要:介紹了BCD( bi pol ar CMOs DMOS)的工藝原理、特點(diǎn)和發(fā)展前景。對BCD工藝兼容性進(jìn)行了說(shuō)明,著(zhù)重闡述了 LDMOS的工藝原理和關(guān)鍵工藝設計考慮。文章結合應用,指出BCD工藝朝著(zhù)高壓、高功率、高密度三個(gè)主要方向分化發(fā)展,并對BCD工藝的最新進(jìn)展作了概述。對電源管理和顯示驅動(dòng)這兩大市場(chǎng)驅動(dòng)進(jìn)行了分析,并對國內企業(yè)進(jìn)入該領(lǐng)域所面臨的機會(huì )與挑戰作了闡述與展望。關(guān)鍵詞:BCD工藝;雙擴散金屬氧化物半導體管;模塊化;高壓;高密度中圖分類(lèi)號:T№B05.7文獻標識碼A文章編號:1003-353X(2006)09-0641-04Overvi ew of bcd processCHEN Zhi-yong, HUANG Qi-yu, GONG Da-wei 2(1. School of M cr oel ect r oni cS, Shanghai Ji aot ong Uhi versity, Shanghai 200030, Chi na2. Advanced Sem conduct or Manf act uri ng Cor p of Shanghai, Shanghai 200233, Chi naAbstract: The pri nci pl e, char act eri sti cs andt he pr ospect of the BCDpr ocess were present ed. Thecompat i bi l ity of BD pr ocess i nt egr at i on was di scussed. We focused on t he pri nci pl e and concernson LDMOS technol ogy. The spl i tti ng of BDt echnol ogy i nt o t hree nai n di recti ons of hi gh vol tage,hi gh power and hi gh densi ty conbi ni ng wi ththe appl i cat i ons were i nt roduced. The updat e devel op-nent s of the BCD pr ocess was al so present ed. The two nar ket i ng trends of the power managementand t he di spl ay dri ver IC were i nt roduced. The chance and t he chal I enges to Chi nese conpany goi ngnt othi s hopef ul fi el dwer e al so di scussedKey wor ds: BCD process DM modul ar i zat i on hi gh vol tage hi gh densi ty1引言了解BCD工藝的特點(diǎn),需要先了解雙極管bi pol ar,CMDs和DMDs器件這三種器件的特點(diǎn)BCD是一種單片集成工藝技術(shù)。1986年由意法詳見(jiàn)表半導體(ST)公司率先研制成功,這種技術(shù)能夠BCD工藝把雙極器件和CMS器件同時(shí)制作在在同一芯片上制作雙極管 bi pol ar,CM和DD同一芯片上。它綜合了雙極器件高跨導、強負載驅器件,稱(chēng)為BCD工藝。動(dòng)能力和CMOS集成度高、低功耗的優(yōu)點(diǎn),使其表1雙極管 Bi pol ar,CMD和DD器件的特點(diǎn)器件類(lèi)別器件特點(diǎn)應用雙極器件兩種載流子都參加導電,驅動(dòng)能力強,工作頻率模擬電路對性能要求較高部分(高速、強驅動(dòng)、高精度)高,集成度低CM器件集成度高,功耗低適合做邏輯處理,一些輸入,也可做輸出驅動(dòng)ΩλD5器件高壓大電流驅動(dòng)(器件結構決定漏端能承受高壓,模擬電路和驅動(dòng),尤其是高壓功率部分,不適合做邏輯處理高集成度可在小面積內做超大WL)中國煤化工Sept ember 2006CN G31 N. 9 641s趨勢與展望互相取長(cháng)補短,發(fā)揮各自的優(yōu)點(diǎn)。更為重要的是有源、漏、柵等電極,但是漏端擊穿電壓高。它集成了DMoS功率器件,DMOS可以在開(kāi)關(guān)模式DMoS主要有兩種類(lèi)型,垂直雙擴散金屬氧化物下工作,功耗極低。不需要昂貴的封裝和冷卻系統半導體場(chǎng)效應管 VDMOSFET( verti cal doub就可以將大功率傳遞給負載。低功耗是BCD工藝的 di ff used mosFet)和橫向雙擴散金屬氧化物半個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)之一。整合過(guò)的BCD工藝制程,可導體場(chǎng)效應管 LDMOSFET( I ater al doubl e-dif大幅降低功率耗損,提高系統性能,節省電路的封fused moSFet)。裝費用,并具有更好的可靠性L(fǎng)DMOS由于更容易與CMOs工藝兼容而被廣2BCD工藝關(guān)鍵技術(shù)簡(jiǎn)介泛采用。 L DMOS器件結構如圖1所示, L DMOS是一種雙擴散結構的功率器件。這項技術(shù)是在相2.1BCD工藝的基本要求同的源/漏區域注入兩次,一次注入濃度較大(典首先,BCD工藝必須把雙極器件、CMS器型注入劑量1015cm2)的砷(AS),另一次注入件和DMOS器件同時(shí)制作在同一芯片上,而且這濃度較小(典型劑量1013cm2)的硼(B)。注三種器件在集成后應基本上能具有各自分立時(shí)所具有的良好性能;其次,BCD工藝制造出來(lái)的芯片應具有更好的綜合性能;此外,相對于其中最復雜的工藝(如雙阱、多層布線(xiàn)、多層多晶硅的二氧化硅a氧化硅CMOS工藝)不應增加太多的工藝步驟。P阱n型外延n-漂移區2.2BCD工藝兼容性考慮1p型襯底BCD工藝典型器件包括低壓CMOS管、高壓MOS管、各種擊穿電壓的 L DMOS、垂直NPN圖1LDM結構圖管、垂直P(pán)NP管、橫向PNP管、肖特基二極管、阱電阻、多晶電阻、金屬電阻等;有些工藝甚至入之后再進(jìn)行一個(gè)高溫推進(jìn)過(guò)程,由于硼擴散比還集成了 EEPROM結型場(chǎng)效應管」FET等器件砷快,所以在柵極邊界下會(huì )沿著(zhù)橫向擴散更遠由于集成了如此豐富的器件,這就給電路設計者(圖中P阱),形成一個(gè)有濃度梯度的溝道,它帶來(lái)極大的靈活性,可以根據應用的需要來(lái)選擇的溝道長(cháng)度由這兩次橫向擴散的距離之差決定最合適的器件,從而提高整個(gè)電路的性能為了增加擊穿電壓,在有源區和漏區之間有一個(gè)由于BCD工藝中器件種類(lèi)多,必須做到高壓漂移區。 L DMOS中的漂移區是該類(lèi)器件設計的關(guān)器件和低壓器件的兼容;雙極工藝和CMoS工藝鍵,漂移區的雜質(zhì)濃度比較低,因此,當 L DMOS的相兼容,尤其是要選擇合適的隔離技術(shù);為控接高壓時(shí),漂移區由于是高阻,能夠承受更高的制制造成本,必須考慮光刻版的兼容性?？紤]到電壓。圖1所示LDMD的多晶擴展到漂移區的場(chǎng)器件各區的特殊要求,為減少工藝制造用的光刻氧上面,充當場(chǎng)極板,會(huì )弱化漂移區的表面電版,應盡量使同種摻雜能兼容進(jìn)行。因此,需要場(chǎng),有利于提高擊穿電壓。場(chǎng)極板的作用大小與精確的工藝模擬和巧妙的工藝設計,有時(shí)必須在場(chǎng)極板的長(cháng)度密切相關(guān)6。要使場(chǎng)極板能充分發(fā)性能與集成兼容性上作折中選擇。通常BCD采用揮作用,一要設計好SQ層的厚度,二要設計好雙阱工藝,有的工藝會(huì )采用三阱甚至四阱工藝來(lái)場(chǎng)極板的長(cháng)度。制作不同擊穿電壓的高壓器件DMos器件是由成百上千的單一結構的DMOS2.3DMS器件的結構、工作原理與特點(diǎn)[25單元所組成的。這些單元的數目是根據一個(gè)芯片所功率輸出級DMoS管是此類(lèi)電路的核心,往需要的驅動(dòng)能力所決定的,DMOS的性能直接決定往占據整個(gè)芯片面積的1/2~2/3,它是整個(gè)集成了芯片的驅動(dòng)能力和芯片面積。對于一個(gè)由多個(gè)基電路的關(guān)鍵。DMOS與CMOS器件結構類(lèi)似,也本單元結構組YHi器件.且中一個(gè)最主要中國煤化工642半導體技術(shù)第31卷第9期CNMHG2006年9月趨勢與展望Outlook features的考察參數是導通電阻,用Ra(on)表示。導側重于提高產(chǎn)品的魯棒性( r obust ness),以保證通電阻是指在器件工作時(shí),從漏到源的電阻。對于在惡劣的環(huán)境下應用能夠具備良好的性能和可靠LDMOS器件應盡可能減小導通電阻,就是BCD工性;另一個(gè)方面是如何降低成本。藝流程所追求的目標。當導通電阻很小時(shí),器件就(3)高密度BCD會(huì )提供一個(gè)很好的開(kāi)關(guān)特性,因為漏源之間小的導主要的電壓范圍是5~50V,一些汽車(chē)電子應通電阻,會(huì )有較大的輸出電流,從而可以具有更強用會(huì )到70Ⅴ。在此應用領(lǐng)域,BCD技術(shù)將集成越的驅動(dòng)能力。DMOS的主要技術(shù)指標有:導通電來(lái)越復雜的功能,今天,有的產(chǎn)品甚至集成了非阻、閾值電壓、擊穿電壓等。揮發(fā)性存儲器。許多電路集成密度如此之高,以對LDMS而言,外延層的厚度、摻雜濃度、致于需要采用數字設計的方法(如集成微控制漂移區的長(cháng)度是其最重要的特性參數。我們可以通器)來(lái)實(shí)現最佳驅動(dòng)以提高性能。這代表了持續過(guò)增加漂移區的長(cháng)度以提高擊穿電壓,但是這會(huì )增增長(cháng)的市場(chǎng)需求,即將信號處理器和功率激勵部加芯片面積和導通電阻。高壓DM器件耐壓和導分同時(shí)集成在同一塊芯片上。它不僅僅是縮小了通電阻取決于外延層的濃度、厚度及漂移區長(cháng)度的系統體積和重量,更帶來(lái)了高可靠性,減少了各折中選擇。因為耐壓和導通阻抗對于外延層的濃度種電磁接口。由于有著(zhù)非常廣闊的市場(chǎng)應用前和厚度的要求是矛盾的。高的擊穿電壓要求厚的輕景,代表了BCD工藝的主流方向,也是最大的應摻雜外延層和長(cháng)的漂移區,而低的導通電阻則要求用領(lǐng)域。薄的重摻雜外延層和短的漂移區,因此必須選擇最最新的BCD工藝趨向于采用先進(jìn)的CMos工佳外延參數和漂移區長(cháng)度,以便在滿(mǎn)足一定的源漏藝平臺,根據不同的應用場(chǎng)合呈現模塊化和多樣擊穿電壓的前提下,得到最小的導通電阻。另性的特點(diǎn)。高密度BCD工藝發(fā)展的一個(gè)顯著(zhù)趨勢由于DMoS芯片面積大,對缺陷密度較敏感。是模塊化的工藝開(kāi)發(fā)策略被普遍采用。所謂模塊化,是指將一些可選用的器件做成標準模塊,根3BCD工藝發(fā)展趨勢據應用需要選用或省略該模塊。模塊化代表了3.1BCD工藝發(fā)展方向78BCD工藝發(fā)展的一個(gè)顯著(zhù)特征,采用模塊化的開(kāi)BCD工藝技術(shù)的發(fā)展不像標準CMOs工藝那發(fā)方法,可以開(kāi)發(fā)出多種不同類(lèi)型的IC,在性樣,一直遵循 Mor e定律向更小線(xiàn)寬、更快的速能、功能和成本上達到最佳折中,從而方便地實(shí)度方向發(fā)展。BCD工藝朝著(zhù)三個(gè)方向分化發(fā)展現產(chǎn)品旳多樣化,快速滿(mǎn)足持續增長(cháng)的市場(chǎng)需高壓、高功率、高密度求。自0.6μm線(xiàn)寬以下BCD工藝普遍采用雙柵(1)高壓BCD氧,薄柵氧實(shí)現低壓CMS,厚柵氧用于制造高主要的電壓范圍是500~700V,目前用來(lái)制此外,一種新型的大斜角注入工藝正造 L DMOS的唯一方法為 RESURF技術(shù),原意為被采用以減少熱過(guò)程。降低表面電場(chǎng)( reduced surface fiel d)910,在3.2BCD工藝新興技術(shù)發(fā)展趨勢7111979年由.A. Appel s等人提出。它是利用輕摻雜未來(lái)電子系統的主要市場(chǎng)是多媒體應用、便的外延層制作器件,使表面電場(chǎng)分布更加平坦從攜性及互連性。這些系統中會(huì )包含越來(lái)越復雜的而改善表面擊穿的特性,使擊穿發(fā)生在體內而非高速I(mǎi)C,加上專(zhuān)用的多功能芯片來(lái)管理外圍的顯表面,從而提高器件的擊穿電壓。高壓BCD主要的示、燈光、照相、音頻、射頻通信等。為實(shí)現應用領(lǐng)域是電子照明( el ect r oni c I ap bal I asts)低功耗和高效率功率模塊,需要混合技術(shù)來(lái)提供和工業(yè)應用的功率控制高壓能力和超低漏電以保證足夠的待機時(shí)間,同(2)高功率BCD時(shí)在電池較低的電壓供電下也能保持良好的性能,主要的電壓范圍是4090V,主要的應用為汽目前一些新興BCD技術(shù)正在形成。車(chē)電子。它的需求特點(diǎn)是大電流驅動(dòng)能力、中等電(1) HVCMOS·BCD主要用于彩色顯示驅動(dòng)壓,而控制電路往往比較簡(jiǎn)單。因此主要發(fā)展趨勢LCD和ED動(dòng)( RE- RCD主要用于實(shí)現中國煤化工Sept ember 2006CN MH G31 N. 9 643s趨勢與展望手機RF功率放大器輸出級;(3) BCD- SO主要用于的挑戰。盡管有技術(shù)和人才方面的挑戰,但整體無(wú)線(xiàn)通信的XDSL驅動(dòng)。SαI的方法有利于減少各而言,國內半導體廠(chǎng)商在電源管理IC市場(chǎng)應有不種寄生效應。很早就有相關(guān)研究,但是由于以前錯的發(fā)展機會(huì )。國內模擬IC設計公司因為靠近信SoI材料很貴,沒(méi)有得到廣泛應用,只有最近幾息、通信和消費性電子制造和代工系統廠(chǎng)商,通年Sα才正逐漸成為主流的方法,Sα是許多特定過(guò)完善的技術(shù)支持和廠(chǎng)商在產(chǎn)品設計和系統端頻繁應用的上佳選擇?；?dòng)等方式,在成本、功能和穩定性已達到水準4BCD工藝應用的國內外市場(chǎng)現狀的情況下,有取代進(jìn)口IC的趨勢,未來(lái)市場(chǎng)發(fā)展潛力相當看好。再者,國內專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠(chǎng)對模BCD工藝的主要應用領(lǐng)域為電源管理(電源和擬制程技術(shù)和資源投入逐漸增加,對國內模擬IC電池控制)、顯示驅動(dòng)、汽車(chē)電子、工業(yè)控制等設計業(yè)者無(wú)疑是一大幫助,現階段國內電源管理領(lǐng)域。近年來(lái),在顯示驅動(dòng)和電源管理兩大市場(chǎng)驅IC占全球市場(chǎng)比重雖不及1%,但未來(lái)將有不少動(dòng)下,BCD工藝備受關(guān)注,越來(lái)越多的公司進(jìn)入的成長(cháng)空間。該領(lǐng)域,進(jìn)行相關(guān)工藝和產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)4.2顯示驅動(dòng)市場(chǎng)需求強勁144.1電源管理市場(chǎng)穩定增長(cháng)[11顯示驅動(dòng)器是向LCD、等離子面板和OLED電源管理IC屬于模擬IC,市場(chǎng)成長(cháng)性穩定等平板顯示器的行和列提供電壓和/或電流的IC模擬技術(shù)的建立需要長(cháng)時(shí)間累積,再加上模擬IC大尺寸LCD面板廣泛使用這類(lèi)IC,預計未來(lái)五年無(wú)法像數字IC一樣有大量的電子設計自動(dòng)化LCD電視機的出貨量將迅速增長(cháng)(EDA)工具和IP可重復使用,所以模擬IC的I Suppl i公司預測,由于LCD電視機、臺式設計相當需要經(jīng)驗的累積,新興廠(chǎng)商不易在短期PC顯示器和移動(dòng)電腦市場(chǎng)的需求增長(cháng),預計2009跨入造成殺價(jià)競爭,因而模擬IC價(jià)格不易大起大年大尺寸LCD面板的驅動(dòng)IC市場(chǎng)幾乎比2004年翻落倍。2009年全球大尺寸LCD驅動(dòng)IC的出貨量隨著(zhù)終端產(chǎn)品朝著(zhù)輕薄短小、數字化和整合將從2004年的23億美元增長(cháng)至42億美元,年復多功能三大趨勢發(fā)展,電源管理IC的地位越來(lái)越合增長(cháng)率為12.6%2009年這類(lèi)驅動(dòng)IC的單位出重要。近年來(lái),在高度數字化趨勢下,數字IC貨量將從2004年的17億只增長(cháng)至42億只,年復技術(shù)在工藝按比例縮小后對于電壓的變化、電流合增長(cháng)率為19.8%容忍和保護日益重要,不同的IC需要不同的供應4.3BCD工藝是制造電源管理、顯示驅動(dòng)等IC的電壓,因而促成更多電源管理IC需求的興起。便上佳選擇攜式產(chǎn)品一直都是電源管理IC主要的應用領(lǐng)域之顯示驅動(dòng)和電源管理IC一般使用 Bi CMOS或,近幾年,該類(lèi)產(chǎn)品如手機、數碼相機、筆BCD工藝,由于工藝比標準CMOS工藝復雜,并記本電腦、MP3等發(fā)展非常迅速。在產(chǎn)量提高的且千差萬(wàn)別,許多設計公司(如 Fabless)由于沒(méi)有相應的工藝被迫退出。因此,能否掌握BCD同時(shí),便攜式產(chǎn)品的性能也不斷得到改進(jìn),功能工藝技術(shù),是許多設計公司在市場(chǎng)競爭中成敗的不斷增加。便攜式電子產(chǎn)品的升級,必然使其對電源管理IC提出更高的要求。電源管理類(lèi)產(chǎn)品即關(guān)鍵因素之一。BCD工藝技術(shù)對代工企業(yè)( Foundry)同樣意義重大,掌握BCD工藝技術(shù)使在半導體市場(chǎng)不景氣的情況下,仍然保持了穩可以使代工企業(yè)獲得大筆的訂單。國內外的許多定的增長(cháng)公司都加大投入力度,爭相開(kāi)發(fā)富有競爭力的然而,模擬IC設計相當需要經(jīng)驗的累積,技BCD工藝。術(shù)門(mén)檻高?！昂筮M(jìn)”的模擬ⅠC設計廠(chǎng)商切入此市場(chǎng)就得面臨好手如云的情況,包括T, Li near,5小結Fai chi l d和 I nter si等老牌半導體公司都已在模擬總之,BCD工藝是一種先進(jìn)的單片集成工藝技領(lǐng)域耕耘多年,因此模擬IC設計廠(chǎng)商仍面臨不小中國煤化工轉第6644半導體技術(shù)第31卷第9期CNMHG2006年9月技術(shù)專(zhuān)欄Technology Column區內沒(méi)有形成大的渦流,符合層流流場(chǎng)的要求。Envi r onment, 2002, 37: 201-208.2] CONG M ZHOU Y MJI ANG Y. An aut omat ed4結論waf er-handl i ng syst embased on the i nt egr at ed ci rcui tequi pment s[ C// IEEE I nt er nat i onal Conf er ence on本文依據潔凈室的設計標準,結合該工程的要Robot i cs and Bi om et i cs. Hong Kong and Macau,求,對硅片傳輸單元的潔凈系統進(jìn)行了結構和參數Chi na,2005:240·245[3]許鐘麟.空氣潔凈技術(shù)原理[M.北京:科學(xué)出版社,2002的設計,給出了設計方案,并用CFD的方法對傳[4]許鐘麟.潔凈室設計[M,北京:地震出版社,1998輸機器人區域的氣流組織進(jìn)行了模擬驗證,研發(fā)了5]徐文華,胡雨燕.SMF/微環(huán)境中數值模擬氣流的研套潔凈等級高,制造簡(jiǎn)單,成本低,且具有很究[」],建筑熱能通風(fēng)空調,2002(1):2-6[6] SHI U H R, HUANG H Y, CHEN S L, et al. Nu-高實(shí)用價(jià)值的硅片傳輸單元的潔凈系統。其各項技neri cal si ml at i on for ai r fl owi n t he nini-enmvi ronnent術(shù)指標都已達到設計要求。and SM F encl osure[]. IEEE Tr ansact i ons on Semi-conduct or Manuf act ur i ng, 2003, 16(1):60-67參考文獻收稿日期:20060426)[ 1] HU S C, CHUAH Y K, YEN M C. Desi gn and作者簡(jiǎn)介eval uat i on of a mi ni envi ronment for semi conduct or叢明(1963-),男,遼寧大連人,大連理工大學(xué)機械工程manuf acture pr ocesses[1. Bui l di ng and學(xué)院,教授,博士,目前主要從事半導體設備的研究與應用(上接第644頁(yè))術(shù),是電源管理、顯示驅動(dòng)、汽車(chē)電子等IC制造nol ogy C//Pr oc of ESSDERC 2002. Fi renze, It al y,工藝的上佳選擇,具有廣闊的市場(chǎng)前景。今后2002:275-282[8 FU I SH MA N I WAYA M SAWADA Met al. A I ow on-BCD工藝仍將朝著(zhù)高壓、高功率、高密度三個(gè)方resi st ance trench I at er al power MOSFET i n a 0. 6um向分化發(fā)展。其中BCD技術(shù)與S技術(shù)相結合,是smart power technol ogy for 20-30V appl i cat i ons[ q/個(gè)非常重要的技術(shù)趨勢/I EDM San Fr anci sco, CA 2002: 455-458[9] APPELS J A VAES H MJ. H gh vol t age thi n I ayer近年來(lái),在市場(chǎng)的強勁驅動(dòng)下,BCD技術(shù)倍levi ces( resuRF devi ces)[g//I EEE I nt El ectron De-受?chē)鴥韧鈽I(yè)界所關(guān)注。盡管BCD工藝復雜,技術(shù)門(mén)檻較高,但是,隨著(zhù)國內微電子產(chǎn)業(yè)鏈的日臻完[ 10] APPELS J A CaLLER M HART P, et al. Thi n-I ayerH devi ces[ R]. Phi l i ps ]Res, 1980: 35善,國內微電子企業(yè)在此領(lǐng)域加大投入、增強合11] PARTHASARATHY V, ZHR KHEMA V, et al. A 0作,一定會(huì )大有作為。CMOs based 70V smart power t echnol ogy w t h deeptrench for hi gh- vol t age i sol at i on q// I EDM San參考文獻:Franci sco, CA[1]謝世健.集成電路兼容技術(shù)[M.江蘇:東南大學(xué)出版[12]俞忠鈺,新市場(chǎng)成為產(chǎn)業(yè)增長(cháng)新契機[N.中國電子報社,1994:101-108.2004:1-6.2] HASTI NGS A. The Art of Anal og Layout[M. USA[伺凌特公司.便攜設備的電源管理技術(shù)展望[J].電子設計應用,2005(Pr ent i ce hal i, 2001: 72-1163] BALLAN H DECLERCQ M H gh Vol tage Devi ces and[144 KI MBERLY A新興顯示技術(shù)異軍突起[].世界電子元arcui t i n St andar d CMOS Technol ogi es[ M. Net herI and器件,2005(1):51-53KI uwer Academ c Publ i sher, 1999: 52-75(收稿日期:2006-0410)4]謝世健集成電路兼容技術(shù)[M.江蘇:東南大學(xué)出版社,1994:125-128作者簡(jiǎn)介5]楊晶琦,電力電子器件原理與設計[M.北京:國防工陳志勇(1971-),男,江蘇如皋人,1995年6合肥業(yè)出版社,2000.82-84工業(yè)大學(xué)微電子技術(shù)學(xué)士學(xué)位,至今已有十余年集成電路研制經(jīng)驗[6 PAUCHARD A, BESS P A PCPVICR S. Si mul at i ons of004年3月,進(jìn)入上海交通大學(xué)微電子學(xué)院攻讀工程碩士學(xué)位,現為上海先進(jìn)半導體制造股份有限公司資深工藝集成工程師,從事BCD工藝、a new CMos compat i bl e met hod to enhance the br eak-EEPROM工藝研制及相關(guān)產(chǎn)品的良率提升down vol t age of hi ghl y-doped shal l ow PNj unct i ons [q/黃其煜,男,1997年本科畢業(yè)于北京大學(xué)物理學(xué)系,隨后在美國L, Switzer I and 420-42弗吉尼亞大學(xué)取得碩土和博士學(xué)位,現在在上海交通大學(xué)微電子學(xué)院擔任[7] CONTI ERO C, ANDREIN A, GAL BI ATI P. Roadma講師,主要研究方向為半導體器件、納米材料與器件、微加工工藝等di f fer ent i at i on and emer gi ng trends i n BCD tech-中國煤化工Sept eber 2006CNMHG31№b.9659