晶體管原理 第2版 郭澎，張福海，劉永 編著(zhù) 2016年版

晶體管原理 第2版 作者： 郭澎，張福海，劉永 編著(zhù) 出版時(shí)間： 2016年版 內容簡(jiǎn)介 《晶體管原理（第2版）》主要講述雙極型晶體管和場(chǎng)效應晶體管的基本工作原理及其頻率特性、功率特性、開(kāi)關(guān)特性，并描述這些特性的相關(guān)參數。講述了新型半導體器件包括新發(fā)明的石墨烯場(chǎng)效應晶體管和常溫單電子晶體管的結構和特性。為適應計算機輔助設計仿真的需求，書(shū)中介紹了半導體器件特別是國產(chǎn)軍品器件創(chuàng )建模型的方法。 《晶體管原理（第2版）》適合作為“微電子科學(xué)與工程”“集成電路設計與集成系統”等專(zhuān)業(yè)的本科教材，也適用于“光電子（信息）工程”等相關(guān)專(zhuān)業(yè)的研究生教材，以及從事微電子、光電子（信息）專(zhuān)業(yè)相關(guān)工作的科研與工程技術(shù)人員閱讀參考。 目錄 第1章 半導體物理與工藝概要 1．1 晶體結構和能帶結構 1．1．1 理想晶體的結構 1．1．2 理想晶體的能帶結構 1．1．3 晶格振動(dòng)和雜質(zhì)原子對半導體性質(zhì)的影響 1．2 半導體中的載流子 1．2．1 平衡載流子的統計 1．2．2 半導體中的非平衡載流子 1．3 載流子的運動(dòng) 1．3．1 漂移運動(dòng) 1．3．2 擴散運動(dòng) 1．4 半導體中的基本控制方程組 1．4．1 電流密度方程 1．4．2 連續性方程 1．5 PN結的電學(xué)特性 1．5．1 PN結直流伏安特性 1．5．2 勢壘電容和擴散電容 1．5．3 擊穿特性 1．6 基本器件工藝 1．6．1 襯底制備和外延生長(cháng) 1．6．2 氧化和光刻 1．6．3 擴散與離子注入 習題 參考文獻 第2章 晶體管的直流特性 2．1 晶體管的基本結構及其雜質(zhì)分布 2．1．1 基本結構 2．1．2 晶體管工藝與雜質(zhì)分布 2．1．3 均勻基區晶體管和緩變基區晶體管 2．2 晶體管的放大機理 2．2．1 晶體管的電流傳輸作用 2．2．2 晶體管端電流的組成 2．2．3 描述晶體管電流傳輸作用和放大性能的參數 2．2．4 晶體管的放大能力 2．3 晶體管的直流伏安特性 2．3．1 均勻基區晶體管的伏安特性 2．3．2 緩變基區晶體管有源放大區的伏安特性 2．4 直流電流增益 2．4．1 理想晶體管的直流增益 2．4．2 影響直流增益的一些因素 2．5 反向電流和擊穿電壓 2．5．1 反向電流 2．5．2 擊穿電壓 2．5．3 穿通電壓 2．6 基極電阻 2．6．1 梳狀晶體管 2．6．2 圓形晶體管 2．7 特性曲線(xiàn) 2．7．1 輸入特性曲線(xiàn) 2．7．2 輸出特性曲線(xiàn) 2．7．3 晶體管的直流小信號參數 2．8 晶體管模型 2．8．1 埃伯斯一莫爾模型 2．8．2 晶體管各工作區的模型 習題 參考文獻 第3章 晶體管的頻率特性 3．1 基本概念 第4章 雙極型晶體管的功率特性 第5章 開(kāi)關(guān)特性 第6章 結型場(chǎng)效應晶體管 第7章 MOS場(chǎng)效應晶體管 第8章 石墨烯場(chǎng)效應晶體管 第9章 新型半導體器件的仿真模型