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GB/T 42969-2023 元器件位移損傷試驗方法 正式版 GB/T 42969-2023 元器件位移損傷試驗方法 正式版

GB/T 42969-2023 元器件位移損傷試驗方法 正式版

  • 標準類(lèi)別:[GB] 國家標準
  • 標準大?。?/li>
  • 標準編號:GB/T 42969-2023 元器件位移損傷試驗方法 正式版
  • 標準狀態(tài):現行
  • 更新時(shí)間:2023-12-28
  • 下載次數:次
標準簡(jiǎn)介

本文件描述了元器件位移損傷的試驗方法。 本文件適用于光電集成電路和分立器件,如電荷耦合器件(CCD)、光電耦合器、圖像敏感器(APS)、光敏管等,用質(zhì)子、中子進(jìn)行位移損傷輻照試驗。其他元器件的位移損傷輻照試驗參照進(jìn)行。 標準號:GB/T 42969-2023 標準名稱(chēng):元器件位移損傷試驗方法 英文名稱(chēng):Displacement damage test method for components 發(fā)布日期:2023-09-07 實(shí)施日期:2024-01-01 引用標準:GB 18871 GB/T 19022-2003 GB/T 27418-2017 起草人:羅磊、于慶奎、唐民、朱恒靜、張洪偉、鄭春、陳偉、丁李利、汪朝敏、李豫東、文林、薛玉雄 起草單位:中國空間技術(shù)研究院、中國工程物理研究院核物理與化學(xué)研究所、西北核技術(shù)研究院、中國電子科技集團公司第四十四研究所、中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所、揚州大學(xué) 歸口單位:全國半導體器件標準化技術(shù)委員會(huì )(SAC/TC 78)

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