SJ/T 11864-2022 半絕緣型碳化硅單晶襯底

本文件規定了半絕緣型碳化硅(SiC)單晶襯底的術(shù)語(yǔ)、分類(lèi)、要求、檢驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸、貯存等。 本文件適用于經(jīng)拋光后制備的Φ50.8 mmΦ76.2mm，Φ100.0mm，Φ150. 0mm半絕緣型SiC襯底，晶型為4H。