GB/T 42897-2023 微機電系統（MEMS）技術(shù) 硅基MEMS納米厚度膜抗拉強度試驗方法

本文件描述了硅基MEMS加工過(guò)程中所涉及的納米厚度膜軸向抗拉強度原位試驗的要求和試驗方法。本文件適用于采用微電子工藝制造的納米厚度膜抗拉強度測試。 標準號：GB/T 42897-2023 標準名稱(chēng)：微機電系統(MEMS)技術(shù) 硅基MEMS納米厚度膜抗拉強度試驗方法 英文名稱(chēng)：Micro-electromechanical systems(MEMS) technology—Tensile strength test method for nano-scale membranes of silicon based MEMS 起草人：張大成、楊芳、李根梓、顧楓、劉鵬、李鳳陽(yáng)、王旭峰、高程武、陳藝、于志恒、華璇卿、劉若冰、張彥秀、王清娜、邵崢、李強、宏宇、趙成龍、張賓、李海全 起草單位：北京大學(xué)、中機生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司、中國電子技術(shù)標準化研究院、北京燕東微電子科技有限公司、廈門(mén)市智慧健康研究院有限公司、寧波瑞成包裝材料有限公司、四川富生電器有限責任公司、深圳市美思先端電子有限公司、無(wú)錫韋感半導體有限公司、廣州奧松電子股份有限公司、江門(mén)市潤宇傳感器科技有限公司 歸口單位：全國微機電技術(shù)標準化技術(shù)委員會(huì )(SAC/TC 336)