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GB/T 42895-2023 微機電系統(MEMS)技術(shù) 硅基MEMS微結構彎曲強度試驗方法 GB/T 42895-2023 微機電系統(MEMS)技術(shù) 硅基MEMS微結構彎曲強度試驗方法

GB/T 42895-2023 微機電系統(MEMS)技術(shù) 硅基MEMS微結構彎曲強度試驗方法

  • 標準類(lèi)別:[GB] 國家標準
  • 標準大?。?/li>
  • 標準編號:GB/T 42895-2023 微機電系統(MEMS)技術(shù) 硅基MEMS微結構彎曲強度試驗方法
  • 標準狀態(tài):現行
  • 更新時(shí)間:2023-09-23
  • 下載次數:次
標準簡(jiǎn)介

本文件描述了硅基MEMS加工所涉及的微結構彎曲強度原位試驗的要求和試驗方法。本文件適用于采用微電子工藝制造的微結構彎曲強度測試。 標準號:GB/T 42895-2023 標準名稱(chēng):微機電系統(MEMS)技術(shù)硅基MEMS微結構彎曲強度試驗方法 英文名稱(chēng):Micro-electromechanical systems(MEMS)technology—Bending strength test method for microstructures of silicon based MEMS 起草人:張大成、楊芳、李根梓、顧楓、劉鵬、高程武、于志恒、王旭峰、李鳳陽(yáng)、華璇卿、陳藝、劉若冰、張彥秀、萬(wàn)蔡辛、武斌、曹萬(wàn)、張賓、張啟心 起草單位:北京大學(xué)、中機生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司、中國電子技術(shù)標準化研究院、北京燕東微電子科技有限公司、無(wú)錫韋感半導體有限公司、深圳市美思先端電子有限公司、南京飛恩微電子有限公司、廣州奧松電子股份有限公司、上海臨港新片區跨境數據科技有限公司 歸口單位:全國微機電技術(shù)標準化技術(shù)委員會(huì )(SAC/TC 336)

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