DB13/T 1314-2010 太陽(yáng)能級單晶硅方棒、單晶硅片

本標準規定了太陽(yáng)能級硅單品方棒、單品硅片的術(shù)語(yǔ)和定義、產(chǎn)品分類(lèi)、原料要求、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸及貯存等。
本標準適用于制造太陽(yáng)能電池基片的單晶硅方棒、單品硅片。？[第1頁(yè)] ICS 01. 040.27 F 12 DB13 河 北 省 地 方 標 準 DB13/T 1314-2010 太陽(yáng)能級單晶硅方棒 、 單晶硅片 2010-11-15發(fā) 布 2010-11-25實(shí) 施 河 北 省 質(zhì) 量 技 術(shù) 監 督 局 發(fā) 布 [第2頁(yè)] DB13/T 1314-2010 月 ij舀 本 標準 按IXAGB/T 1. 1-2009給 出的規 則起 草 。 本標準由邢臺市質(zhì)量技術(shù)監督局提出4 本標準起草單位JIii龍實(shí)業(yè)集團有限公司 、 寧晉縣質(zhì)量技術(shù)監督局 。 本標準主要起草人員J任丙彥 、 安增現 、 柳志強 、 顏志峰 、 劉彥朋 。 [第3頁(yè)] DB13/T 1314-2010 太陽(yáng)能級單晶硅方棒 、 單晶硅片 范 圍 　　本標準規定了太陽(yáng)能級硅單品方棒 、 單品硅片的術(shù)語(yǔ)和定義 、 產(chǎn)品分類(lèi) 、 原料要求 、 技術(shù)要求 、 試 驗方法 、 檢驗規則 、 標志 、 包裝 、 運輸及貯存等‘ 　　本標準適用于制造太陽(yáng)能電池基片的單晶硅方棒 、 單品硅片‘ 2規范性引用文件 　　卜列文件對于本文件的應用是必不可少的 。 凡是注日期的引用文件 ， 僅所注日期的版本適用于本文 件 。 凡是不注日期的引川文件 ， 其最新版本 （ 包括所有的修改單 ） 適川于本文件 。 　　GB/T 1554硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法 　　GB/T 2828. 1計數抽樣檢驗程序第一部分J按接受質(zhì)量限SAQL ） 檢索的逐批撿驗抽樣計劃 　　GB/T 6618硅片厚度和總P1度變化測試方法 　　GB/T 6620硅片翹曲度非接觸式測試方法 　　GB/T 6624硅拋光片表面質(zhì)H.目測檢驗方法 　　GB/T 191包裝儲運圖示標志 3術(shù)語(yǔ)和定義 缺口indent 指貫穿單品硅片邊緣的缺損 。 3. 2 亮 邊 bright Point Edge 指單品硅片側棱上的連續缺損區域。 3. 3 崩 邊 edge crack 　　指單品硅片邊緣或表面未貫穿單品硅片的局部缺損區域 ， 當崩邊在單晶硅片邊緣產(chǎn)生時(shí) ， 其尺寸由 徑向深度和周邊弦長(cháng)給出 。 3.4 裂紋crack 指延伸到單晶硅片表面 ， 貫穿或不貫穿單品硅片厚度的解理或裂痕‘ [第4頁(yè)] DB13/T 1314-2010 3. 5 劃痕scratch 指單晶硅片在白熾燈或熒光燈下 ， 肉眼明顯可見(jiàn)的凹陷狀劃傷舀 3.6 線(xiàn)痕saw mark 指切割時(shí)在單品硅片表面留下的輕微不規則凹凸直線(xiàn)狀痕跡 。 3. 7 弧寬度偏差chamfer width departure 單晶硅方棒 、 單晶硅片的四個(gè)圓弧中所對應的最大弦長(cháng)與最小弦長(cháng)的差‘ 4產(chǎn) 品 分 類(lèi) 4. 1分類(lèi) 單uu硅方棒 、 單U,硅片按導電類(lèi)型分為N型和P型兩種類(lèi)型 。 4. 2規格 　　單品硅方棒、 單品ft片按直徑分為0127 mm, 0135 mm, 0 150 mm, (165 mm, (200 mm, 中220 mm 或由供需雙方商定規格：按單品硅方棒、 單品硅片的形狀和外形尺寸（ 注, aXa/￠見(jiàn)圖1, 單位mm ） 分為I 　100X 100/127, 103X 103/135, 125X 125/150, 125X 125/165, 156X 156/200, 156X 156/220或由供 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　需雙方商定規格。 ， 一 ‘ ’ 一 “ ’ ～ “ 、 　 　  　 　 　 　 ? 　 　 　 　 ? 　 　 　 　 ？ 　 　 　 　 l 　 　 　 　 　 l 　 　 　 　 　  　 　 　 　 　 　 　  　 　 l 0一直徑 ； [第5頁(yè)] DB13/T 1314-2010 。 一 邊 長(cháng) ； L一弦長(cháng) 。 單晶硅方棒斷面 、 單晶硅片表面形狀 4. 3等級 單晶硅片按I； ｝1質(zhì)等級分為J一級品 、 二級品 、 三級品 （ 具體分類(lèi)標準見(jiàn)5.2.3) 5原料要求 原料應符合表1規定 。 　少了壽命 導 電 摻雜元 ； 晶 向 電阻率 　 氧 含 量 　 碳 含 量 “ 嚴 品 向 　 　 　 卜 幾 s atoms/cm' atoms/cm' 類(lèi) 型 　素 方 式 偏 離 度 R.cm （ 斷 面 中 心 點(diǎn) ） 個(gè) 川 　 /Cm 11硼 ） 1-3/ 3-6 315 <100> P型 Ga 。 ＜1p -0.95X 10E18 -5X 10E16 < 2 000 0. 5-6 310 （ 鎵 ） 0.5-3 3100 < 1X10E18 ＜3 000 。 <100> N 'i P （ 磷） ＜ 3’ < 5X 10E16 1.7-12 3300 <0.8X 10E18 ＜1 000 6技術(shù)要求 6.1太陽(yáng)能級單晶硅方棒 6. 1. 1太陽(yáng)能級單晶硅方棒缺陷 單 晶 硅 方 棒 不 得 有 孿 晶 線(xiàn) 、 層 錯 、 六 角 網(wǎng) 絡(luò ) 、 亞 結 構 、 夾 雜 、 空 洞 、 星 形 結 構 等 缺 陷 （ 見(jiàn)GB/T 1554). 6. 1.2太陽(yáng)能級單晶硅方棒幾何參數 應符合表2規定． 太陽(yáng)能級單晶硅方棒幾何參數 　 loo x 　 103 X 　125 X 　125 X 　156 X 　156 X 標 稱(chēng) 規 格 ．mm 125/165 100/127 103/135 125/150 156/200 156/220 0.3 0.3 0.4 0.4 0.4 0.5 邊 長(cháng) 偏 差 ， mm ， 士 127 135 150 165 200 220 直 徑 ， mm 0.3 0.3 0.4 0.4 0.4 0. 5 直 徑 偏 差 ， mm ．士 100 100 100 100 100 100 單au硅方棒長(cháng)度 ， min. > 單晶硅方棒的長(cháng)度也可由供需雙方協(xié)商確定‘ [第6頁(yè)] DB13/T 1314-2010 6.1.3制造 按程序批準的文件或供需雙方協(xié)商公差范圍制造 。 6.1.4單晶硅方棒外觀(guān) 6.1.4.1棱 上 崩 邊 攤邊100 mm 以?xún)龋?. 1 mm,＜ 0.3 mm 的崩邊不多于3個(gè)。 6.1.4.2兩直邊垂直度 90 士 20' 6.1.4.3弧寬度偏差 ＜1.5 mm. 6. 1. 5單晶硅方棒表面質(zhì)量 　　單晶硅方棒表面經(jīng)過(guò)處理后 （ 化學(xué)處理或機械處理 ） ， 不允許出現肉眼能觀(guān)察到的明顯沾污 、 酸印 、 小坑 、 劃痕． 6. 2太陽(yáng)能級單晶硅片 6.2. 1太陽(yáng)能級單晶硅片的幾何參數 應符合表3規定 。 太陽(yáng)能級單晶硅片的幾何參數 　loo x 　103 X 　125 X 　125 X 　156 X 　156 X 標 稱(chēng) 規 格 ， mm 100/127 103/135 125/150 125/165 156/200 156/220 0.3 0. 3 0.4 0. 4 0.4 0. 5 邊 長(cháng) 偏 差 ， mm ， 土 127 135 150 165 200 220 直 徑 ， mm 0.3 0.3 0.4 0. 4 0.4 0. 5 直 徑 偏 差 ， mm ， 士 140, 150, 140, 150, 160, 170, 160, 170, 180, 190, 180, 190, 單 品 硅 片 厚 度 （ 中 心 點(diǎn) ） ， pm 160, 170 160, 170 180, 190 180, 190 200, 210 200, 210 10 10 10 10 10 10 單晶硅片厚度允許偏差 ， μ m ， 士 單晶硅片厚度及厚度允許偏差也可由供需雙方協(xié)商確定 。 6.2.2太陽(yáng)能級單晶硅片的外觀(guān) 、 表面質(zhì)量 應符合表4規定 。 [第7頁(yè)] DB13/T 1314-2010 太陽(yáng)能級單晶硅片的外觀(guān) 、 表面質(zhì)量 項 目 一 級 品 二 級 品 三 級 品 (1 mmX0.5 mm) - (5 mm 缺 口 不 可 有 ＜(1 mmXO. 5 mm) X 3 mm) 單面41邊寬度 15 μ m. <25 pm >25 μ m. <70 μ m （ 深 度 ） 總厚度變 <25 μ m >25 μ m. <35 μ m >35 μ m. <70 μ m 化(TTV) 翹 曲 度 <30 pm >30 pm. <40 pm >40 μ m. <70 pm 表面有異常顏色 ， 表面有異常顏色． 色 斑 無(wú)目視可見(jiàn)色斑 面積小于硅片總面積的1/3 面積大于硅片總面積的1/3 硅片表面不允許有裂紋．目視無(wú) 凹坑 、 “v”型缺口 、 孔洞．無(wú) 硅片表面不允許有裂紋 ， 目視無(wú)凹 硅片表面不允許有裂紋 ， 目視無(wú) 表面質(zhì)量 硅膠殘留 ， 表面無(wú)沾污和異常斑 坑 、 “v”型缺口 、 孔洞 。 孔洞 。 點(diǎn) 。 7試驗方法 7. 1單晶硅方棒外觀(guān) 7.1.1棱上崩邊測量用讀數顯微鏡測量 。 7.1.2兩直邊垂直度測量川精確度為2'的萬(wàn)能角度尺測量‘ 7.1.3弧寬度偏差測Ji:用精確度為0.02 mm 的游標k尺測量‘ 7.2單晶硅方棒的表面質(zhì)1=u 　　目視檢驗 ， 特殊情況下可用測最顯微鏡觀(guān)測 。 7. 3單晶硅方棒 、 單晶硅片的幾何參數 [第8頁(yè)] DB13/T 1314-2010 單uir硅方棒 、 單uu硅片的幾何參數用精確度為0. 02 mm 的游標P尺測量 。 7.4單晶硅片外觀(guān) 7.4. 1單uuAI硅片厚度和總厚度變化按GB/T 6618進(jìn)行‘ 7.4. 2單Il硅片翹 ！ #t！ 度按GB/T 6620進(jìn)行4 7.4.3單uu硅片缺口、 崩邊用目測加讀數顯0鏡測U. 7.4.4單品硅片亮邊 、 劃痕用目測加精確度為0. 02 mm 的游標卡尺測量. 7.4.5單nuu硅片的線(xiàn)痕用精確度為0.001 mm 的千分表測k臺測量 。 7.4. 6單uu硅片的色斑為目視檢驗‘ 7. 5單晶硅片的表面質(zhì)量 按GB/T 6624進(jìn)行。 檢驗規則 8.1檢驗分類(lèi) 產(chǎn)品檢驗分出廠(chǎng)撿驗和型式檢驗兩類(lèi) 。 出廠(chǎng)檢驗 8.1.1.1 4批產(chǎn)品出廠(chǎng)前須經(jīng)本公司質(zhì)檢部門(mén)檢驗合格后方可出廠(chǎng) 。 8.1.1.2單品fit方棒的出廠(chǎng)檢驗項目為J表面質(zhì)量 、 外觀(guān) 、 幾何尺寸 。 8.1.1.3單品硅片的出廠(chǎng)檢驗項目為J厚度 、 總厚度變化 、 翹曲度 、 外觀(guān) 、 表面質(zhì)量 、 兒何尺寸 、 弧 寬度偏差等 。 型式檢驗 8.1.2.1正常情況下 ， 每?jì)赡赀M(jìn)行一次型式檢驗 。 有下列情況之一時(shí) ， 亦應進(jìn)行‘ 原料 、 工藝有較大改變可能影響產(chǎn)品質(zhì)量性能時(shí) ； 長(cháng)期停產(chǎn)后恢復生產(chǎn)時(shí) ； 出廠(chǎng)檢驗結果與上次型式檢驗結果有較大差異時(shí) ； 國家質(zhì)最監督部門(mén)提出型式檢驗要求時(shí) 。 型式檢驗項目為本標準規定的全部?jì)热?。 組批 產(chǎn)品應以批的形式提交驗收 。 同一牌號 、 同一規格的產(chǎn)品為一批月 抽 樣 單晶硅方棒 每批產(chǎn)品隨機抽取20％的試樣 ， 5根一9根晶棒抽取2個(gè)試樣 ， 5根uir棒以下抽取一個(gè)試樣 。 8.3.2單晶硅片 [第9頁(yè)] DB13/T 1314-2010 　　產(chǎn)品檢測按GB/T 2828. 1一般檢查水平11， 正常檢查一次抽樣方案進(jìn)行 ， 或由供需雙方協(xié)商確定的 抽樣方案進(jìn)行J見(jiàn)表5. 單晶硅片的檢測項目及接收質(zhì)量限 序 號 檢 驗 項 目 接收質(zhì)最限 （ AQL) 1.0 厚度偏差 2 1.0 總厚度變化 3 1.0 翹 曲 度 4 直徑及直徑偏差 1.0 5 2.5 參考面長(cháng)度 （ 或直徑 ） 1.0 崩 邊 1.5 沾 污 2.0 深劃 、 亮邊 1.0 6 裂 紋 、 缺口 表面質(zhì)量 1.0 線(xiàn) 痕 色 斑 1.0 2. 5 累 計 9判定規則 0．1出廠(chǎng)檢驗 　　單品硅方棒 、 單品硅片出廠(chǎng)檢驗項目中若有一項不合格 ， 允許返工修復 ， 修復后復檢 ， 復檢合格則 判該批產(chǎn)品出廠(chǎng)檢驗某級別合格 。 9. 2型式檢驗 　　單品硅方棒 、 單品硅片全部檢驗項目判定合格則該產(chǎn)品型式檢驗合格 。 10標志 、 包裝 、 運輸和貯存 10. 1標志 10. 1. 1產(chǎn)品包裝應附有合格證明并標明以下內容t 產(chǎn)品名稱(chēng) 、 規格型號及數最 ； 產(chǎn)品執行標準編號： 生產(chǎn)廠(chǎng)名 、 廠(chǎng)址 ； 生產(chǎn)日期或批號 ； 檢驗員 、 檢驗日期及合格印章等 。 10.1.2包裝標志還應應符合GB/T 191的要求 ， 應有“小心輕放” 、 “防潮” 、 “易碎”等字樣 或圖示標志 。 10. 2包 裝 [第10頁(yè)] DB13/T 1314-2010 　　產(chǎn)品采用聚苯烯 （ 泡沫 ） 或紙制品作內包裝 ， 然后將經(jīng)過(guò)包裝的產(chǎn)品裝入包裝箱內 ， 并裝滿(mǎn)填充物 ， 防止產(chǎn)品松動(dòng)‘ 10. 3運輸 產(chǎn)品在運輸過(guò)程中應輕裝輕卸 、 防震 、 防潮 ， 嚴禁擠壓 、 拋擲4 10.4貯存 產(chǎn)品應貯存在干燥 、 通風(fēng) 、 清潔 、 無(wú)腐蝕的倉庫內 ， 防止日I炳雨淋 。