GB/T 41751-2022 氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法 Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers

本文件規定了利用高分辨X射線(xiàn)衍射儀測試氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的方法。
本文件適用于化學(xué)氣相沉積及其他方法制備的氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的測試，氮化鎵外延片晶面曲率半徑的測試可參照本文件進(jìn)行。GB/T 41751-2022 氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法 Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 crystal substrate wafers 2022-10-12發(fā) 布 2023-02-01實(shí) 施 驢。 噸、 國家市場(chǎng)監督管理總局‘井＋－ 鎏對國家標準化管理委員會(huì )及”刀 GB/T 41751-2022 刖 言 　　本文件按照GB/T 1.1-2020《 標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規則 》 的規定 起草 。 　　請注意本文件的某些內容可能涉及專(zhuān)利 。 本文件的發(fā)布機構不承擔識別專(zhuān)利的責任 。 　　本文件由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(huì ) （ SAC/TC 203） 與全國半導體設備和材料標準 化 技 術(shù) 委 員 會(huì )材 料 分 技 術(shù) 委員 會(huì ) （ SAC/TC 203/SC