GB/T 41325-2022 集成電路用低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片 Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

本文件規定了低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片（以下簡(jiǎn)稱(chēng)Low-COP拋光片）的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規則、包裝、標志、運輸、貯存、隨行文件及訂貨單內容。
本文件適用于對晶體原生凹坑敏感的集成電路用直徑為200mm和300mm、晶向＜100＞、電阻
率0.1Ω·cm-100Ω·cm的Low-COP拋光片。GB/T 41325-2022 集成電路用低密度晶體原生凹坑 　 　 　 　 　 硅 單 晶 拋 光 片 Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for 　　　　　　　　　　　　　　　integrated circuit 2022-03-09發(fā) 布 2022-10-01實(shí) 施 艙 胃 熬 毓 鞴 黯 欠 發(fā) 布 副 擤e‘： ！ 偽 GB/T 41325-2022 月 u旨 　　本文件按照GB/T 1.1-2020《 標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規則 》 的規定 起草 。 　　請注意本文件的某些內容可能涉及專(zhuān)利 。 本文件的發(fā)布機構不承擔識別專(zhuān)利的責任 。 　　本文件由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(huì ) （ SAC/TC 203） 與全國半導體設備