GB/T 24581-2022硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法Test method for Ⅲ and V impurities content in single crystal silicon. Low temperature FT-IR analysis method

本文件描述了用低溫傅立葉變換紅外光譜法測定硅單晶中Ⅲ、V族雜質(zhì)含量的方法。本文件適用于硅單晶中的Ⅲ、V族雜質(zhì)鋁(Al)、銻(Sb)、砷(As)、硼(B)、鎵(Ga)、銦(In)和磷(P)含量的測定,各元素的測定范圍(以原子數計)為1.0X10(10) cm-3~4.1X10(14) cm-3。