GB/T 41325-2022集成電路用低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

本文件規定了低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Low-COP拋光片)的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規則、包裝、標志、運輸、貯存、隨行文件及訂貨單內容。本文件適用于對晶體原生凹坑敏感的集成電路用直徑為200mm300mm、晶向<100>、電阻率0.1 Ω·cm~100 Ω·cm的Low-COP拋光片。