GB/T 10118-2009高純鎵High purity gallium

本標準代替GB/T10118-1988《高純鎵》。本標準與GB/T10118-1988相比,主要有如下變動(dòng):---增加了檢出雜質(zhì)元素的種類(lèi);---降低了原標準中檢出雜質(zhì)元素的含量;---引入了MBE 級牌號高純鎵;---對原標準的試驗方法進(jìn)行了修改,增加了輝光質(zhì)譜法等。本標準的附錄A 為資料性附錄。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(huì )提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(huì )材料分技術(shù)委員會(huì )歸口。本標準負責起草單位:國瑞電子材料有限責任公司。本標準參加起草單位:南京金美鎵業(yè)有限公司。本標準主要起草人:于洪國、邢志國。本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:---GB/T10118-1988。