GB/T 1553-2009硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay

本標準代替GB/T1553-1997《硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法》。本標準與原標準相比,主要有如下變化:---新增加少子壽命值的測量下限范圍;---刪除了有關(guān)斬切光的內容;---本標準將GB/T1553-1997中第7章試劑和材料和第8章測試儀器并為第6章測量?jì)x器;---本標準增加了術(shù)語(yǔ)章和體壽命的解釋;---本標準在干擾因素章增加了對各干擾因素影響的消除方法。本標準的附錄A 為規范性附錄。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(huì )提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(huì )材料分技術(shù)委員會(huì )歸口。本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠(chǎng)。本標準主要起草人:江莉、楊旭。本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:---GB1553-1979、GB5257-1985、GB/T1553-1997。