GB/T 28275-2012硅基MEMS制造技術(shù).氫氧化鉀腐蝕工藝規范Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for KOH etch process GB/T 28275-2012硅基MEMS制造技術(shù).氫氧化鉀腐蝕工藝規范Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for KOH etch process

GB/T 28275-2012硅基MEMS制造技術(shù).氫氧化鉀腐蝕工藝規范Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for KOH etch process

  • 標準類(lèi)別:[GB] 國家標準
  • 標準大?。?/li>
  • 標準編號:GB/T 28275-2012
  • 標準狀態(tài):現行
  • 更新時(shí)間:2022-06-10
  • 下載次數:次
標準簡(jiǎn)介

本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。本標準由全國微機電技術(shù)標準化技術(shù)委員會(huì )(SAC/TC336)提出并歸口。本標準起草單位:中國科學(xué)院上海微系統與信息技術(shù)研究所、重慶大學(xué)、東南大學(xué)、中國電子科技集團第四十九研究所、中機生產(chǎn)力促進(jìn)中心。本標準主要起草人:夏偉鋒、熊斌、馮飛、戈肖鴻、周再發(fā)、李玉玲、賀學(xué)鋒、田雷、劉偉。

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