GB/T 10117-2009高純銻High purity antimonium

本標準代替GB/T10117-1988《高純銻》。本標準與GB/T10117-1988相比,主要有如下變動(dòng):---增加了規范性引用文件;---化學(xué)成分增加雜質(zhì)總量含量一欄,并對雜質(zhì)的含量做了一些調整,主要是金、鎘、鉛的技術(shù)參數;---在檢驗規則中增加每批產(chǎn)品的重量一般應不大于100kg;---在產(chǎn)品交付中增加外用塑料薄膜密封;---將原標準中產(chǎn)品的化學(xué)成分的分析方法按供方現行方法進(jìn)行;仲裁分析按供需雙方認可的方法進(jìn)行改為產(chǎn)品的化學(xué)成分分析按YS/T35.1~35.4高純銻化學(xué)分析方法進(jìn)行;---對原標準中在收到產(chǎn)品之日起三個(gè)月內向供方提出中三個(gè)月的時(shí)間做了修改;---將原標準中化學(xué)成分檢驗不合格時(shí),應取雙倍數量的試樣進(jìn)行復驗。如其中有一個(gè)試樣結果仍不符合本標準的要求,則判定該批產(chǎn)品為不合格品。改為化學(xué)成分檢驗不合格時(shí),則判定該批產(chǎn)品為不合格品。。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(huì )提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(huì )材料分技術(shù)委員會(huì )歸口。本標準負責起草單位:峨嵋半導體材料廠(chǎng)。本標準主要起草人:王炎、蔣蓉。本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:---GB/T10117-1988。