GB/T 1554-2009硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques

本標準代替GB/T1554-1995《硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法》。本標準與GB/T1554-1995相比,主要有如下變化:---增加了本方法也適用于硅單晶片;---增加了術(shù)語(yǔ)和定義、干擾因素章;---第4章最后一句將用肉眼和金相顯微鏡進(jìn)行觀(guān)察修改為用目視法結合金相顯微鏡進(jìn)行觀(guān)察;---將原標準中表1四種常用化學(xué)拋光液配方刪除,對化學(xué)拋光液配比進(jìn)行了修改,刪除了乙酸配方;并將各種試劑和材料的含量修改為等級;增加了重量比分別為50%CrO3 和10%CrO3標準溶液的配比;增加了晶體缺陷顯示常用的腐蝕劑對比表;依據SEMIMF18090704 增加了幾種國際上常用的無(wú)鉻、含鉻腐蝕溶液的配方、應用及適用性的分類(lèi)對比表;---第9章將原GB/T1554-1995中(111)面缺陷顯示中電阻率不小于0.2Ω·cm 的試樣腐蝕時(shí)間改為了10min~15min;(100)面缺陷顯示中電阻率不小于0.2Ω·cm 的試樣和電阻率小于0.2Ω·cm 的試樣腐蝕時(shí)間全部改為10min~15min;增加了(110)面缺陷顯示;增加了對重摻試樣的缺陷顯示;在缺陷觀(guān)測的測點(diǎn)選取中增加了米字型測量方法。本標準的附錄A 為資料性附錄。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(huì )提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(huì )材料分技術(shù)委員會(huì )歸口。本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠(chǎng)。本標準主要起草人:何蘭英、王炎、張輝堅、劉陽(yáng)。本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:---GB1554-1979、GB/T1554-1995。---GB4057-1983。