單片集成MEMS技術(shù)

2005年第24卷第3期傳感器技術(shù)( Journal of Transducer Technology )1) 綜述與評論單片集成MEMS技術(shù)江建明,婁利飛,汪家友,楊銀堂(西安電子科技大學(xué)微電子所陜西西安710071 )商要:介紹了單片集成MEMS技術(shù)相對傳統混合( hybrid )方法的優(yōu)勢;分析了單片集成MEMS技術(shù)實(shí)現的難點(diǎn)同時(shí)給出了目前與CMOS工藝兼容的多種單片集成MEMS的技術(shù)特點(diǎn)工藝流程詳細闡述了目前各種post-CMOS技術(shù)。最后給出單片集成MEMS技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢。關(guān)鍵詞:微機電系統;單片集成;CMOS兼容中圖分類(lèi)號: TP212文獻標識碼: A文章編號: 1000 -9787( 2005 )03 -0001 -03.Monolithic integrated MEMS technologyJIANG Jjian-ming ,LOU Li-fei , WANG Jia-you , YANG Yin-tang( Inst of Microelectronics ,Xidian University ,Xi' an 710071 ,China )Abstract : The advantages of monolithic integrated MEMS technology over traditional hybrid method areintroduced and the difficulties of implementing monolithic integrated MEMS are analyzed. The characteristics andprocess of many CMOS-compatible monolithic integrated M EMS technologies are presented especially the currentpost-CMOS technologies are detailed. At last a forecast is given for their future trends.Key words : MEMS( microelectromechanical system ) ; monolithic integration ; CMOS-compatible0引.言MEMS制造過(guò)程對CMOS電路的污染同時(shí)兩者生產(chǎn)過(guò)程在過(guò)去的20年中CMOS技術(shù)已成為集成電路主要制互不干擾。但是由于信號經(jīng)過(guò)鍵合點(diǎn)和引線(xiàn)導致在高頻造工藝制造成本下降的同時(shí)成品率和產(chǎn)量也得到很大提應用時(shí)信號傳輸質(zhì)量下降并且，開(kāi)發(fā)兩套生產(chǎn)線(xiàn)增加了高,COMS工藝將繼續以增加集成度和減小特制尺寸向前產(chǎn)品的成本。為了解決-些性能問(wèn)題并降低制造成本提發(fā)展。當今CMOS集成工藝不僅被利用在集成電路設計出把MEMS部分做在和CMOS電路同-塊襯底上也就是上,而且,也被利用在很多微傳感器和微執行器上,這樣可產(chǎn)生了與CMOS工藝兼容單片集成MEMS技術(shù)或叫以把微傳感器與集成電路集成在一起構成功能強大的智CMOS-MEMS技術(shù)。這種方法相對混合方法總的來(lái)說(shuō)有如能傳感器。隨著(zhù)微傳感應用范圍的不斷擴大對傳感器的下優(yōu)勢'第一性能能得到很大的提高,因為寄生電容和要求也越來(lái)越高對未來(lái)微傳感器的主要要求是微型化和串擾現象可以顯著(zhù)減小第二混合方法需要復雜的封裝技集成化;低功耗和低成本高精度和長(cháng)壽命;多功能和智能術(shù)以減小傳感器接口的影響,而單片集成方法需要的封裝化。硅微機械和集成電路的一體化集成,可以滿(mǎn)足上述要技術(shù)相對簡(jiǎn)單所以降低傳感器成本第三單片集成傳感求。目前集成傳感器的產(chǎn)品多數采用混合集成單片集成器技術(shù)也是陣列傳感器的需要是克服陣列傳感器與外圍.的比例很小。而實(shí)現單片集成是實(shí)現傳感器智能化的關(guān)譯碼電路互連瓶頸的一種有效方法;第四，開(kāi)發(fā)單片集成鍵特別是單片集成MEMS傳感器技術(shù)也是當今片上系統MEMS產(chǎn)品比開(kāi)發(fā)混合MEMS產(chǎn)品所需的時(shí)間短而且開(kāi)芯片能否實(shí)現的關(guān)鍵技術(shù)之一?？梢?jiàn),對各種單片集成發(fā)成本低。MEMS技術(shù)難點(diǎn)進(jìn)行分析以及給出目前已有的各種單片集單片集成MEMS技術(shù)根據MEMS器件部分與CMOS成MEMS技術(shù)是非常必要的。電路部分加工順序不同可以分為前CMOS( pre-CMOS )混1單片集成MEMS技術(shù)的優(yōu)勢和面臨的挑戰合CMOS( intermediate-CMOS )及后CMOS( post-CMOS )集成實(shí)現MEMS和CMOS共同工作是分別制造MEMS傳方法中國煤化工感器和CMOS集成電路然后從各自的晶片切開(kāi),固定在1YHCNMHGCMOS電路的硅片上通一個(gè)共同的襯底上并且連線(xiàn)鍵合,這樣就實(shí)現兩者的集過(guò)一些附加MEMS微細加工技術(shù)以實(shí)現單片集成MEMS.成這就是所謂的混合( hybrid )方法。這種方法不會(huì )產(chǎn)生系統,目前,單片集成MEMS技術(shù)主要以這種方法為主。收稿日期2004 -08 -24.*基金項目國家自然科學(xué)基金資助項目( 90207022 )2傳感器技術(shù)第24卷post-CMOS方法主要問(wèn)題是MEMS加工工藝溫度會(huì )對前面微結構所需要的高溫,但是在600 C時(shí),鎢容易與硅形成的CMOS電路性能產(chǎn)生影響,更為嚴重的是后面高溫反應伯克利大學(xué)是通過(guò)在接觸孔上放一層TiN阻擋層來(lái).MEMS加工工藝溫度與前面CMOS工藝金屬化不兼容。以解決這一問(wèn)題的。MICS 工藝基本流程是完成鎢金屬化的目前研究最多的多晶硅作為結構層的MEMS為例使磷硅CMOS工藝后淀積300x 10 -10 nm低溫氧化物( LTO )然玻璃致密化退火溫度為950C而使作為結構層多晶硅的后低壓化學(xué)氣相淀積200x10-10nm的氮化硅薄膜保護應力退火溫度則達到1050C這將使CMOS器件結深發(fā)生已生產(chǎn)的CMOS電路腐蝕完微結構與CMOS電路的接觸遷移。特別是800C時(shí)淺結器件的結深遷移就會(huì )影響器件孔后淀積第1層現場(chǎng)摻雜多晶硅(350x10-10nm)作為的性能。另- - -方面采用常規鋁金屬化工藝時(shí)當溫度達到CMOS電路與微結構的互連線(xiàn),再在上面淀積1 μum厚的400~450C時(shí),CMOS電路可靠性將受到嚴重的影響。從PSG作為犧牲層以及淀積厚度為2um多晶硅結構層。通以上可以看出如何克服后面高溫MEMS微結構加工溫度過(guò)在第2層多晶硅上再淀積一層0.5 μm的PSG ,以及在氮對前面的已加工完的CMOS電路影響是解決單片集成氣環(huán)境下的1000C快速退火1min來(lái)降低作為結構層的多MEMS系統關(guān)鍵所在。目前國際上解決這個(gè)問(wèn)題基本是晶硅應力。最后刻蝕多晶硅結構圖形以及腐蝕掉其下面.通過(guò)3種方式第-種是以難熔金屬化互連代替鋁金屬化的犧牲層( PSG )以釋放微結構?；ミB如伯克利大學(xué)的以鎢代替鋁金屬互連方案,這樣提2.1.2以其他材 料作結構層集成表面微細加工技術(shù)高容忍后續加工MEMS所需的高溫;第二種方式是通過(guò)尋多晶硅鍺不僅有與多晶硅相似的優(yōu)良機械性能而且,找低制作溫度且機械性能優(yōu)良的材料代替多晶硅作為結構淀積溫度低與CMOS工藝兼容所以,目前被廣泛研究。伯層材料;第三種方式是利用CMOS本身已有結構層作為克利大學(xué)開(kāi)發(fā)的基于硅鍺結構層的工藝與MICS工藝基本MEMS結構層。相似[2。主要技術(shù)革新第- ,保護層采用不同的材料,以pre-CMOS集成方法是先制造MEMS結構后制造前MICS工藝采用835 C的LPCVD氮化硅,而現在則是采CMOS電路,這種集成CMOS技術(shù)雖然克服post-CMOS方用兩層LT0和中間夾-層不定型硅( a-Si )作為CMOS電路法中MEMS高溫工藝對CMOS電路的影響但由于存在垂保護層其中a-Si 分兩步淀積第一步淀積在450°C ;第二直的微結構所以,存在傳感器與電路互連臺階覆蓋性問(wèn)步淀積則在410C這樣溫度是不會(huì )損壞鋁金屬化CMOS.題而且在CMOS電路工藝過(guò)程中對微結構的保護也是一電路第二采用低淀積溫度多晶硅鍺作為結構層材料其個(gè)需要考慮的問(wèn)題。甚至已優(yōu)化微調的CMOS工藝流程,低壓化學(xué)氣相淀積( LPCVD )溫度只有400 C采用快速退例如柵氧化可能被重摻雜的結構層影響。另外,MEMS工火溫度也僅為550C時(shí)間為30s。而MICS工藝淀積多晶.藝過(guò)程中不能有任何的金屬或其他的材料,如壓電材料聚硅結構溫度則超過(guò)600。從以上兩點(diǎn)可知,由于整個(gè)后合物等,使得這種方法只適合-些特殊應用。續MEMS加工溫度不超過(guò)450C所以不會(huì )對鋁金屬化互intermediate-CMOS 是在CMOS電路生產(chǎn)過(guò)程中插入一連CMOS電路產(chǎn)生很大的影響。些MEMS微細加工工藝來(lái)實(shí)現單片集成MEMS的方法。采用鋁作為結構層材料也會(huì )獲得很大成功最為成功這種方法已很成熟并已有很多商品化產(chǎn)品也是研究最早的是德州儀器開(kāi)發(fā)低溫表面微細加工技術(shù)并用這種技術(shù)-種單片集成方法是解決pre-CMOS和post-CMOS方法存成功生產(chǎn)了數字微鏡設備( DMD )。技術(shù)革新主要表現在在問(wèn)題有效方法,但是,由于需要對現有的標準CMOS或采用濺射鋁作為結構層材料并且采用光致抗蝕劑作為犧BiCMOS工藝進(jìn)行較大的修改,因此這種方法的使用有一牲層這種低溫后處理使得已生產(chǎn)的下面SRAM單元不被定限制。破壞3。2單片集成MEMS的主要技術(shù)現狀鋯鈦酸鉛( PZT )壓電材料因具有優(yōu)良的壓電性能、熱目前單片集成MEMS技術(shù)主要以post-CMOS技術(shù)為釋電性能、鐵電性能和介電性能而被廣泛應用在鐵電存儲主通過(guò)一系列的與CMOS工藝兼容的表面微細加工和體器中以及作為高介質(zhì)材料。同時(shí)還可以利用鋯鈦酸鉛壓電加工實(shí)現單片集成MEMS。又可分為2種一種是在CMOS效應制作微傳感器以及微執行器。PZT 薄膜工藝與硅集成結構層上面再淀積-層結構層的微加工;另一種是直接以工藝兼容如,目前的基于金屬有機化學(xué)氣相淀積( MOCVD)CMOS原有的結構層作為MEMS結構層的微加工。方法制作PZT薄膜溫度已降低到430 ~475°C[4]這個(gè)溫度2.1 淀積新的結構材料作MEMS結構的集成技術(shù)還在中國煤花工生為結構層是很有希望與2.1. 1多 晶硅作為結構層的集成表面微細加工技術(shù)CMGTH這種工藝典型代表是伯克利大學(xué)開(kāi)發(fā)模塊集成CMOS. CNMHGms結構的集成技術(shù)與MEMS工藝( modular integration of CMOS with micro-struc-2.2.1犧牲 鋁的微加工技術(shù)trures ,MICS )這種方法是以多晶硅為微結構層磷硅玻璃.如果CMOS金屬化合物用作犧牲材料則可能存在和(PSG)作為犧牲層的表面微細加工技術(shù)。采用難熔金屬鎢CMOS工藝完全兼容的表面微細加工工藝,這種方法被稱(chēng)的金屬化互連代替鋁金屬化互連以承受后面的生產(chǎn)多晶硅作犧牲鋁蝕刻sacrificial aluminum etching SALE)。在許多第3期江建明等單片集成MEMS技術(shù)CMOS工藝過(guò)程中都采用了兩層由鋁合金構成的金屬層。采用XeF2干法蝕刻的post-CMOS工藝也得到很大的第1層金屬作為犧牲層被清除可以制造出電介質(zhì)金屬化發(fā)展。XeF2 是一種各向異性硅蝕刻劑,蝕刻速度很高,它合物第2層由金屬和鈍化物組成第2層金屬介于兩個(gè)電是惰性氣體氙的一種稀有化合物。XeF, 既不蝕刻IC絕緣介質(zhì)之間適當結構化后便可以作為反射鏡、電極、熱電阻層也不蝕刻鋁合金金屬化合物因此和CMOS完全兼容?；螂姛嵴{節器。其基本工藝過(guò)程包括( 1 )保護電氣連接經(jīng)過(guò)適當的區域設計、連接和加掩模在指定部位打開(kāi)絕緣觸點(diǎn)不受到蝕刻(2)腐蝕犧牲鋁層(3)涮洗清除微結構層使基底硅局部暴露給蝕刻劑。因為XeF2即不蝕刻陶里面的蝕刻劑( 4 )烘干微機構。瓷也不蝕刻塑料,從而適合集成CMOS微系統的微加工。2.2.2單 晶體硅活化蝕刻和金屬化法使用這種方法可在已完成的CMOS芯片上無(wú)掩模蝕刻出微單體硅活化蝕刻和金屬化法( single crystal reactive機構[8]。etching and melallization SCREAM )可用于制造梁、橋這樣3發(fā)展趨勢的結構甚至可以用單晶硅制造更復雜的結構'1。這種方單片集成MEMS技術(shù)已開(kāi)發(fā)10多年了,已得到了迅猛法始于制造完的CMOS電路硅片,首先淀積一層覆蓋接觸.發(fā)展也涌現出各種MEMS制造服務(wù)組織和企業(yè),從而可孔的氧化硅這層氧化物保護CMOS電路免受后面工藝影以獲得-些組織或直接由特殊集成電路制造商提供MEMS響并通過(guò)反應離子蝕刻RIE )圖形化這層氧化物遮蔽層;加工。代表微系統IC技術(shù)發(fā)展方向的組織包括美國的然后,RIE 蝕刻硅溝槽深度可達到10 um氧化硅薄膜淀積MOSIS ,Europractice 和歐洲的TIMACMP美國北卡羅納州下來(lái)覆蓋在側面和水平面上。通過(guò)反應離子蝕刻掉水平的Cronos集成微系統公司除了提供基本的CMOS工藝以面上的氧化物而使豎直面受到保護第二次反應離子蝕刻外還提供體微加工和表面微加工、LICA工藝以及多用戶(hù).硅最后各向同性蝕刻硅釋放出懸浮的微結構,同時(shí),蝕微機電系統工藝等美國桑迪亞國家實(shí)驗室開(kāi)發(fā)的超平面刻接觸孔氧化物并濺射金屬這層金屬化淀積物使大縱橫多層多晶硅工藝也已商品化在歐洲從事特殊應用集成電比的梁變成電容性元素用厚的抗蝕劑作掩蔽模圖形化金路制造技術(shù)研究的包括奧地利微系統公司和瑞士的EM微屬層。由于SCREAM的每-步均在低于300C的溫度下進(jìn)電子公司。還有很多基于傳感器的特殊硅工藝也已經(jīng)被研究出來(lái)如德國的羅伯特博施公司和挪威的SensoNor公行的,因此是與CMOS電路兼容的。司等。從目前來(lái)看集成MEMS技術(shù)將有如下趨勢:2.2.3大縱橫 比的CMOS-MEMS工藝( 1 )post-CMOS集成方法仍將是未來(lái)的主要開(kāi)發(fā)技術(shù),Garnegie Mellon大學(xué)開(kāi)發(fā)的與CMOS兼容干法蝕刻方法°]它應用各向同性硅蝕刻產(chǎn)生絕緣薄膜CMOS介質(zhì)和并將現有實(shí)驗室已開(kāi)發(fā)的各種post-CMOS單片集成MEMS金屬化層在這個(gè)工藝中不僅用作金屬互連而且還作為微技術(shù)產(chǎn)業(yè)化;機械結構層?；竟に囘^(guò)程為首先標準的CMOS工藝采(2)在集成MEMS系統上集成更多的復雜的電路包括用三層金屬0.5μm N阱工藝實(shí)現其次,金屬層1和2被數字接口和微控制器這樣得到功能更強大、價(jià)格便宜的智用作電活性層而第3層作為微機械加工的蝕刻掩模。應能系統;(3)開(kāi)發(fā)封裝技術(shù)保護CMOS芯片免受環(huán)境的影響,用化合物CHF;/O2的反應離子蝕刻( RIE)使整個(gè)芯片上不僅需要開(kāi)發(fā)適應MEMS集成系統的封裝而且,也需要.的鈍化層被清除掉在第3層金屬斷開(kāi)區域,CMOS薄膜夾開(kāi)發(fā)能適應封裝的單片MEMS集成技術(shù)。層被一直蝕刻至基底而上面覆蓋有第3層金屬的CMOS4結束語(yǔ)薄膜夾層則保留完好;最后采用SF。/O2等離子在不蝕刻單片集成MEMS是實(shí)現智能傳感器的關(guān)鍵也是IC業(yè)微結構側壁情況下各向同性蝕刻硅襯底。狹窄的絕緣層和發(fā)展的一個(gè)重要方向。雖然目前各種方法都還存在-些問(wèn)導電層融為一體制造出梁和橋例如梳狀驅動(dòng)器這樣的微題但是隨著(zhù)對其不斷的研究與CMOS工藝兼容性各種問(wèn)結構。題也會(huì )一-解決。本文對單片集成MEMS技術(shù)對工藝提2.2.4體加工 CMOS-MEMS工藝主要是通過(guò)蝕刻硅襯底等體加工技術(shù)來(lái)形成所需的出的要求進(jìn)行了討論并對目前各種單片集成MEMS技術(shù)特點(diǎn)工藝流程進(jìn)行了介紹,同時(shí)，還給出未來(lái)單片集成MEMS結構這種技術(shù)主要以蘇黎世大學(xué)為主”?？梢詮腗EMS技術(shù)未來(lái)發(fā)展趨勢。正面蝕刻硅襯底也可以從反面蝕刻硅襯底利用各向異性中國煤化工腐蝕(100)方向的特性,從硅的正面蝕刻是可以得到未封[1TYHC pt al. Mrofabrication teh.閉的微結構,如梁和支撐膜等,可選用的蝕刻劑可以是氫CNMH GJ] Poedling of the IEE,2003 91(6) 839 - 863.氧化四甲基銨水溶液(TMATH)或乙烯二胺溶液(EDP)。[2] Franke A E ,Heck J M ,King T-J ,et al. Polycytalline silicon-通過(guò)從已完成的硅片背部蝕刻硅片可以得到封閉的介電薄germanium films for integrated microsystems [ J ]. Microelectro-膜需要一個(gè)額外的掩模定義膜片的大小通常采用的蝕刻mechanical Systems 2003 ,12( 2) 160-171.劑是KOH。(下轉第6頁(yè))6傳感器技術(shù)第24卷2.3 pm對應溫度分辨力約為0.2C但由于目前的光纖激3結束語(yǔ)光器的穩定性及可調諧范圍不太理想在一定程 度上限制隨著(zhù)對光纖光柵傳感系統的深入研究其研究的重點(diǎn):了光纖光柵傳感器的個(gè)數和使用范圍。一是對傳感器能同時(shí)感測應變和溫度變化的研究:二是對2光纖光柵傳感系統的發(fā)展趨勢信號解調系統的研究三是對光纖光柵傳感器的封裝技術(shù)、為了適應未來(lái)光纖光柵傳感系統網(wǎng)絡(luò )化、大范圍、準分溫度補償技術(shù)、光源穩定性、傳感系統網(wǎng)絡(luò )化等實(shí)際應用研布式測量。許多研究者正在光纖光柵傳感系統的各方面進(jìn)究。特別是隨著(zhù)全光網(wǎng)絡(luò )的發(fā)展光纖光柵傳感系統可以行不斷的研究使系統得到優(yōu)化。光纖光柵傳感系統的優(yōu)應用成熟的波分復用、時(shí)分復用和空分復用技術(shù)以實(shí)現準化主要從三方面考慮即光源光纖光柵傳感器及信號解分布式光纖傳感復用數目多、測量精度高、靈敏度高的光.調。對于傳感系統的優(yōu)化主要是根據傳感器的數目、傳感纖光柵系統網(wǎng)將會(huì )在生產(chǎn)領(lǐng)域中有更廣泛的應用。器的靈敏度和解調系統的分辨力根據實(shí)際的測量需要配參考文獻:置不同的光源、傳感器和解調系統使得成本低、測量誤差[1] Falquier D G ,Shaw H J ,Digonnet M J F. A polarization-stable小測量精度高。針對未來(lái)光纖光柵傳感系統網(wǎng)絡(luò )化的要Er-doped superfluorescent fiber source including a Faraday rotator求應使用穩定性好、寬帶、高輸出功率的光源。摻鉺、摻.miro[ J ] IEEE Photonics Technology Leters ,2000 ,12( 11 ):釹、摻鐿等離子的光源是今后發(fā)展的重點(diǎn)。光纖光柵傳感1465 - 1467.器既能實(shí)現單參量的測量又能實(shí)現多參量的測量。當單[2] Tsai S C ,Law P C ,Chen Y K. High-power flat L-band erbium-doped fiber ASE source using dualforward-pumping scheme[ J ]參量測量時(shí)應提高傳感器的靈敏度和測試精度。在實(shí)際Optical and Quantum Electronics 2003 35( 2 ):161 - 167. .應用中要注意傳感器的靈敏度和量程之間的折中。靈敏. 3 ] Zhao Yong Liao Yan-biao . Discrimination methods and demnodu-度高了量程自然小了。這是因為光纖光柵的應變有一個(gè)lation techniques for fiber Bragg grating sensan[ J ] Optics and極限值超過(guò)這個(gè)極限值光柵就會(huì )被破壞。為實(shí)現準分布Lasers in Engineering 2004 A41( 1 )1 - 18.式測量傳感器復用數目較多在布置傳感器時(shí),有時(shí)一個(gè)[4] 王目光李唐軍卓鋒等.應變和溫度同時(shí)測量光纖光柵點(diǎn)要布置靈敏度不同的多個(gè)傳感器,以實(shí)現溫度和壓力的傳感器的研究J]傳感器技術(shù)2001 20(9 )10-14.大范圍測量。由于傳感量主要是微小波長(cháng)偏移為載體所[5]孫安喬學(xué)光,賈振安等.耐高壓光纖Bragg光柵壓力傳感以一個(gè)實(shí)用的信號解調方案必須具有極高的波長(cháng)分辨力。技術(shù)研究J]光子學(xué)報2004 3( 7 ):823 -825.其次要解決動(dòng)態(tài)與靜態(tài)信號的檢測問(wèn)題尤其是二者的結[6] Liu Yun-qi ,Guo Zhuan-yun ,Zhang Ying ,et al. Simulataneous合性檢測已成為光柵傳感實(shí)用解調技術(shù)中的難點(diǎn)。光纖光pressure and measurement with polymer coated fiber Bragg柵傳感系統應用最大的優(yōu)勢在于很好地進(jìn)行傳感器的復用grating[ J ] Electronic Letters 2000 36( 6) 564 - 566.實(shí)現分布式傳感,如美國的Micron Optics公司新推出的[7] 張昕明,余有龍,朱勇.光纖光柵傳感系統信號解調技術(shù)[J]光電子技術(shù)與信息2002 15(4)17 -20.FBGSLI采用可調激光掃描方法利用時(shí)分技術(shù),可以同時(shí)8]姜德生何偉.光纖光柵傳感器的應用概況[ J]光電子.對四路光纖多達256個(gè)Bragg光柵進(jìn)行查詢(xún)。因此,未來(lái)激光2002 ,13(4) ;420 -430.的光纖光柵傳感系統將能滿(mǎn)足單點(diǎn)高精度的實(shí)時(shí)測量,又作者簡(jiǎn)介:能適應網(wǎng)絡(luò )化的準分布式的多點(diǎn)多參量的測試要求在未禹大寬( 1980- )男河南駐馬店人碩士研究生主要從事光來(lái)的傳感領(lǐng)域發(fā)揮更大的作用。纖傳感與光纖通信方面的研究。(上接第3頁(yè))aspect-atio integrated silicon microstructure{[ J ] J Microelectro-mechanical Syst 2002 ,11 93 - 101.[ 3 ] Niklaus F Haasl S Stemme G, Arrays of monocrystalline silicon mi-cromirors fabricated using CMOS compatible transfer bonding[ J ][7 ] Lange D ,Hagleitner C Hierlemann A pt al. Complementary metalMicroelectromechanical Systems 2003 ,12( 4 ) ;465 - 469.oxide semiconductor cantilever array on a single chip :Mass-sensi-[4] LungS L ,Lin D ,Chen S S ,et al. Modularized low tenperaturetive detection of volatile organic compounds[ J ] Anal Chem ,LNO/ PZT/LNO frolecrie capacitor-over interconneet( C0I )2002 ,74 3084 - 3095.FeRAM for advanced S0Q( AS0C ) Applicatior[ A ] ProceedingsI8]中國煤化工ngelo C H. Modeling and charaof the IEEE Custom Integrated Circuits Conference[ C ] OrlandoTY HC NM H Gon elching using vapor-phaseFlorida IEEE 2002. 479 - 482.xenon difluoride[ A ] Proc. IEEE MEMS2004[ C ] Maastricht[5] LeeCS B ,Webb R Y ,ChongJ M ,et al. Single crystal siliconNetherlands IEEE 2004. 737 - 740.( SCS ) micromirror arrays using deep silicon etching and IR a-lignment[ A ] Proc IEEE MEMS2002[ C ] Miyazaki Japan :IEEE 2002. 441 -448.江建畈( 1979- )男江西黎川人在讀研究生研究方向為集[6] Xie H Erdmann L Zhu X et al. Post-CMOS processing for high-成MEMS技術(shù)研究。