

聚乙二醇分子量對微孔鍍銅的影響
- 期刊名字:中外企業(yè)家
- 文件大?。?/li>
- 論文作者:張園,趙楊
- 作者單位:浙江省麗水學(xué)院理學(xué)院
- 更新時(shí)間:2020-03-23
- 下載次數:次
Exploration Area【探索帶】聚乙二醇分子量對微孔鍍銅的影響張園趙楊(浙江省麗水學(xué)院理學(xué)院,浙江麗水323000)摘要:聚二醇PEG分子量在微盲孔板填充銅電鍍的影響是采用光學(xué)顯微鏡的橫斷面圖像證明的。采用恒電流測量不同分子量的PEG在電鍍銅的電化學(xué)行為。在過(guò)量的CL-下,PEG表面覆蓋在銅表面的吸附是通過(guò)用掃描電子顯黴鏡觀(guān)察Cu沉淀物的大小和分布。隨著(zhù)PEG分子量的增加,當PEG分子量范圍從60-8006只有PEG的分子量超過(guò)2000可以有效地使陰極極仳從而誘導雙磺丙二硫在銅的催仳作用下沉積,使抑制劑和加速劑協(xié)冋互動(dòng)對微盲孔板填充。關(guān)鍵詞:聚乙二醇;電鍍銅;分子量中圖分類(lèi)號:TB383.1文章標志碼:A文章編號:1000-8772(2013)29-0262-01電鍍銅被廣泛用于制造印刷電路板的PCBs電線(xiàn)。兩個(gè)導鍍試樣。PCB的片段的尺寸是6X15厘米。微孔的直徑分別為電層的PCB之間是由金屬微孔或通孔通常連接。在傳統的方65和105微米,深度為55微米的微孔側壁的微孔是第一金屬法中,側壁金屬微孔和通孔的電鍍銅在多層印制板制造的關(guān)的無(wú)電鍍銅和銅電鍍以增加銅籽晶層的厚度為3μm灌裝前進(jìn)鍵技術(shù)。然而,多層印刷電路板已不能滿(mǎn)足國家的最先進(jìn)的行隨后的電鍍沉積。測試電路板電鍍在電流密度194mAm2電子產(chǎn)品的需求,其特點(diǎn)是輕,薄,短,小。相反,高密度,電鍍70分鐘。。在每個(gè)電鍍測試,PCB片段預浸在鍍液中互連HD設計,通過(guò)激光燒蝕形成微孔為主是目前的PCB制造同時(shí)搖動(dòng)10分鐘以濕微孔徹底刪除在微孔堵塞的氣泡趨勢。這個(gè)新的工藝技術(shù),微孔,甚至微通孔是必須完全填充的電鍍銅。換句話(huà)說(shuō),在微孔底銅電沉積的速度必須超過(guò)二、結果與討論通過(guò)開(kāi)口和在板的表面。這種現象被稱(chēng)為自底向上的填充或超級填充。在微通孔填充,電沉積銅率必須是最大的孔壁的當PEG分子量大于600,自底向上的填充,即使超級填充中心,使側壁中心填充。填充機制與微觀(guān)關(guān)聯(lián)的通孔的不同發(fā)生。此外,出現了銅表面變得光滑明亮,表明抑制和加速是因為它與微孔相關(guān)的幾何特征,因此,流體的運動(dòng),是不劑之間的協(xié)同效應,在本工藝條件的工作。PEG的濃度恒定同的。為200pm,相應的摩爾濃度逐漸增加的PEG分子量低。抑制這種特殊的填充行為的銅電沉積是第一個(gè)用于制造半導劑的抑制作用越來(lái)越強的PEG分子量。這種吸附行為意味著(zhù)體劑件的雙鑲嵌工藝。以滿(mǎn)足要求,鍍液必須包含至少兩個(gè)PEG-CL-復雜關(guān)鍵的影響抑制銅的沉積。特定的有機添加劑。一個(gè)被稱(chēng)為抑制劑,它是由PEG,氯離填充性能最好,PEG分子量為6000和8000。當PEG分子子;另一種是所謂的加速劑,它通常有一個(gè)巰基如3-巰基-1量大于8000,填充性能與PEG分子量通過(guò)更加明顯比在減丙磺酸鹽或SPS官能團以提高銅沉積。根據超級填充機制提小。這表明流體運動(dòng)的相對行為很容易在大經(jīng),反過(guò)來(lái)有利出了在以前的工作中,抑制和加速劑之間的協(xié)同作用。主要于大PEG對銅沉積的抑制作用在大底部通過(guò)因大PEG強對流對孔表面的抑制作用,而主要是在通過(guò)底部的加速功能;甚的依賴(lài)性,吸附。至加速劑可以積累在通過(guò)底部的銅電解質(zhì)界面。它已被證明最好的填充性能發(fā)生在PEG分子量為6000和8000之間,的抑制和加速劑之間發(fā)生競爭吸附在銅表面。然而,競爭吸適當的分子大小是抑制劑和加速劑的協(xié)調關(guān)鍵。當抑制覆蓋附的支配與一定的物理因素,如幾何位置周?chē)奶卣骱湾円喝毕荻?在板表面的抑制作用較弱。然后銅沉積由于在孔底的強制對流等有關(guān)。在以前的工作中提出的沒(méi)有功能的加速積累的局部增強,如化學(xué)吸附抑制劑和加速劑之間已經(jīng)證明是這些添加劑對圖所示。因此,在通過(guò)底部的銅沉積的加速劑局部的催化效流依賴(lài)的吸附特征可以通過(guò)恒電流測量銅沉積在銅旋轉圓盤(pán)果,必須建立在一個(gè)前提下,有效抑制必須同時(shí)在董事會(huì )表電極兩個(gè)不同的旋轉速度進(jìn)行了強度。如果在一個(gè)緩慢的旋面操作。在板表面的抑制選擇性的消耗已被證明是強制對流轉速度,得到的Cu的RDE的過(guò)電位較小,快速的獲得,那么相關(guān)。然而,下面的通用汽車(chē)公司將表明,如果抑制覆蓋的這一定具有鍍液填充性能好。這項工作還具有競爭吸附各種缺陷是,在PEG吸附強制對流的援助是有限的。因此,保形PEG和使用上述通用方法的加速劑和進(jìn)一步的相關(guān)的電位差沉積發(fā)生在小的PEG是用在電鍍溶液兩偏振曲線(xiàn)之間的關(guān)系,并分別在慢速和快速的旋轉速度的銅表面的表面形貌。一如果銅表面暴露于高濃度含有測量,與填充性能。實(shí)驗結果表明,最佳的填充性能的各種Cu3,聚乙二醇,和CI電解質(zhì),反應形成的沉淀物在銅表PEG發(fā)生時(shí),PEG分子量為6000和18000和隨PEG分子量的變化面不經(jīng)PEG-Cu-CL復蓋。Cu沉淀的晶體生長(cháng)和分布進(jìn)行與不同PEG的填充性能的變化一致比較,使用SEM圖像進(jìn)一步證實(shí)的Cu沉淀的投影可以用來(lái)判析抑制劑的覆蓋程度。含有0.88 MCuSO4·5H2O電解液經(jīng)過(guò)浸、實(shí)驗泡三表面形貌,0.54MH2SO4,150ppm的CL,和200ppm的PEG。顯然,在Cu沉淀的晶體數目的PEG分子量函數和不與電鍍條件,程序,和預處理方法已在其他地方詳細描PEG的摩爾濃度有關(guān)。即一個(gè)較大的PEG分子量對應于晶體述。有許多微孔的CO3激光燒蝕形成PCB的片段作為餡料的電數量減少。(下轉第264頁(yè))收稿日期:2013-10-08作者簡(jiǎn)介:張園(1993-),男,浙江嵊州人,在讀本科。研究方向:應用化學(xué)CHINESE FORE ICN ENTRE FRE NEURSExploration Area【探索帶】及做到接地的電阻小于10歐姆,能夠有效地減輕配電系統在對立焊和仰焊等焊接技術(shù)進(jìn)行相關(guān)培訓學(xué)習;在電氣低壓配意外斷線(xiàn)以及燒毀情況下的損失,以及在配電系統發(fā)生故障電工程施工中,對焊縫不合格的要進(jìn)行補焊或重焊,而且焊時(shí),能夠保證工作人員的人身安全。接后要立即清除焊渣以及刷防銹漆;據GB501692《電氣裝置2熔斷器設置安裝工程接地裝置施工及驗收規范》的相關(guān)規定,對低壓配在220V380ν的低壓配電設計系統中,應該確保PEN線(xiàn)的電設計中要搭接焊接的避雷引下線(xiàn),要求其搭接長(cháng)度為圓鋼完好無(wú)缺,也就是不應該在PEN線(xiàn)上設置任何熔斷器以及單直徑的6倍,所以不允許用螺紋鋼代替圓鋼作搭接鋼筋。極開(kāi)關(guān)。不僅如此,在我國目前采用的低壓電網(wǎng)中,是不允許兩種運行系統同時(shí)運行的。這也就是指在低壓電網(wǎng)中,當四、結束語(yǔ)方電網(wǎng)處于零保護狀態(tài)時(shí),系統中的其他設備應該進(jìn)行接地處理,使得電氣設備在發(fā)生接地或者其他短路故障時(shí),造成總而言之,民用電氣工程是一項關(guān)乎民生的一項專(zhuān)業(yè)性極大危險。不僅如此,也會(huì )使零保護電氣設備的金屬外殼上極強的電力工程。在220V380V民用電氣低壓配電系統的設出現相電壓,進(jìn)而對電氣工程工作人員的生命安全造成一定計和施工中,設計人員以及具體施工人員應該認真嚴格遵守威脅國家在相關(guān)方面制定的規程以及規范,加強對工程質(zhì)量的管3漏電保護器的設置理,以保證民用低壓配電系統的安全正常運行,以及降低損在220V380V民用低壓配電設計中,漏電保護器即俗稱(chēng)耗,讓電力能源能夠為國家的經(jīng)濟發(fā)展以及社會(huì )穩定和諧作漏電自動(dòng)開(kāi)關(guān)的設置是極其重要的。它不僅能夠有效防止電出應有的貢獻。路發(fā)生安全事故時(shí)對整個(gè)電路的保護,即配電系統損傷和硬件燒壞問(wèn)題,而且也能夠有效保證人身安全。但是,在農村參考文獻:的20V380V低壓配電設計中,不能直接在線(xiàn)路中裝設漏電保[1李劍峰低壓供電系統的諧波處理技術(shù)[J煤礦機械,2010護器,配電系統的負荷端應該將PEN線(xiàn)、N線(xiàn)和PE線(xiàn)的責任沉淀,不僅如此,還應該PEN線(xiàn)復接地以及在配電系統的負2咸化彩張學(xué)義史立偉等永磁體內置式微型振動(dòng)發(fā)電機的荷端將TN-c系統轉換成TN-c-s系統,這樣能夠使配電系統中研究微電機,2010.TN-s部分設置漏電保護,確保配電系統安全B3張士峰移動(dòng)變電站低壓真空饋電開(kāi)關(guān)過(guò)流及后備保護的可4防雷接地設置在防雷設置中,具體應該從以下方面進(jìn)行:加強對民用4宋福峰劉寶昌通信電源系統設計及運行維護中節能方案探電氣低壓配電工程施工人員的職業(yè)技能培訓和學(xué)習;要做到訂門(mén)電信工程技術(shù)與標準化2010在配電設備安裝過(guò)程中的搭接焊處、焊縫飽滿(mǎn)、平整,以及(責任編輯:劉圓(上接第262頁(yè))電位依賴(lài)性的競爭吸附。銅表面的抑制用氯離子仍然可以用PEG交互。和加速劑之間的競爭吸附取決于陰極電位比PEG分子量。Cu超過(guò)20pm的CL,觀(guān)察SPS活性沒(méi)有時(shí)間延遲。這些結的RDE的去極化是微不足道的在0.3ppm的SPS注入電解質(zhì)含有果表明CL-是SPS活性的啟動(dòng)子,這是與以前的工作相一致。60pm的CL-和200 opmPEG-200或PEG-600。相比之下,但顯在SP激活延遲時(shí)間的行為也表明,SPS可以抓住吸附的Cl-與著(zhù)慢去極化對銅紅出現在0.3ppm的sPS注入電解質(zhì)含有60 ppm PEG預作用。因此,去極化程度在30ppm的CL造成的SPS注的CL和200pm的PEG-2000射更為顯著(zhù)比在60ppm的CL-案例,而他們的極化效應在SPSCUrDe的去極化程度與注人的CL-濃度增加。在200ppm反轉的情況下。的氯濃度PEG-8000不同后續注射液引起的Cu的RDE的極化程度。最強的極化效應出現在30ppm的CL-這是與從電位掃結論描和步進(jìn)方法得到的結果一致。這些氯離子幾乎完全是受PEG。然而,CL-濃度太低,形成一個(gè)緊湊的復合膜。緊湊和微孔可以適當的使用較大分子量的PEG。當PEG的濃度穩定的復合膜直到C濃度超過(guò)2ppm的形成。當潛在的銅RDE是固定的。PEG分子量從200到2000增加,最佳的填充性能高于0.55V與SSE,0.3ppm的SPS注射液可明顯去極化的銅電的發(fā)生在6000-8000底部填充微孔是通過(guò)抑制和加速劑之極。的 CURDE最明顯的去極化發(fā)生的情況下的曲線(xiàn)。這些結間的協(xié)同競爭吸附達到的。抑制劑和加速劑之間的競爭吸附果表明,S門(mén)S對銅沉積的催化效果不僅依賴(lài)于陰極電位,而且是建立在陰極必須極化的抑制到一定水平,也導致了加速劑對氯-濃度。對SPS激活所需的過(guò)電位之間的相互作用引起的的活化。如果不能通過(guò)抑制陰極極化到足夠高的水平,則不大的PEG和足夠的氯離子鍍條件下。進(jìn)行抑制和加速劑之間的協(xié)同競爭吸附。換句話(huà)說(shuō),積累的一個(gè)單層的PEG-Cu-CL復合物可在銅表面形成,從催化作用的加速劑在孔底的超級填充的微孔是有條件的。吸而導致在sPS沒(méi)有最強的抑制效果。SPS注射后,能與吸附附行為的抑制取決于強制對流。加速劑吸附在銅表面可以通的C}-成為Cn2還原一個(gè)實(shí)用的催化劑。此刻,如果CL-覆蓋過(guò)抑制的強制對流。在此基礎上具體的吸附行為,一個(gè)簡(jiǎn)單的接近的臨界PEG覆蓋, CURDE顯著(zhù)去極化可以觀(guān)察到SPS與恒電流法,涉及到兩個(gè)不同的旋轉速度Cu-RDE表征的發(fā)展和有限的氯離子-。如果CL-覆蓋率是高于PEG的臨界覆蓋,預測填充性能的各種電鍍配方。CuRDESPS注射液引起的去極化與曲線(xiàn)D相比,因為更多的可(責任編輯:陳麗敏CHINESE FOREICN ENTREPRE NEURS 264
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