MEMS后封裝技術(shù)

第11卷，第7期電子與封裝總第99期Vol.11，No. 7ELECTRONICS & PACKAGING2011年7月MEMS后封裝技術(shù)楊建生(天水華天科技股份有限公司，甘肅天水741000)摘要:通過(guò)對局部加熱與壓焊技術(shù)的研討，介紹了微系統后封裝技術(shù)，微系統封裝技術(shù)在微電機系統(MEMS)蓬勃興起的領(lǐng)域已成為主要的研究課題。構建多應用后封裝工藝不僅推動(dòng)了此領(lǐng)域的發(fā)展，而且加速了產(chǎn)品的商業(yè)化進(jìn)程。文章概述了通過(guò)局部加熱和壓焊技術(shù)形成創(chuàng )新型后封裝的方法，闡明了目前MEMS封裝技術(shù)和晶片壓焊工藝技術(shù)的工程基礎。重點(diǎn)陳述了通過(guò)選擇性密封工藝過(guò)程，包括集成低壓力化學(xué)汽相淀積(LPCVD)密封工藝、局部硅-玻璃熔融壓焊、局部焊料壓焊和局部CVD (化學(xué)汽相淀積)壓焊工藝過(guò)程。關(guān)鍵詞:化學(xué)汽相淀積壓焊;低共熔壓焊;融合壓焊; MEMS封裝;焊料壓焊中圖分類(lèi)號: TN305.94文獻標識碼: A文章編號: 1681-1070 ( 2011 ) 07-0002-07MEMS Post PackagingYANG Jian-sheng(Tianshui Huatian Technology Co., Ltd., Tianshui 741000,China)Abstract: This work addresses important post-packaging issues for Microsystems and rcommemds specificresearch directions by localized heating and bonding. Micropackaging has become a major subject for bothscientific research and industrial applications in the emerging field of microelectromechanical systems(MEMS). Establishing a versatile post-packaging process not only advances the field but also speeds up theproduct commercialization cycle. A review of engineering bases describing current technologies of MEMSpackaging approach by localized heating and bonding. Proces s demonstrations by selective encapsulationare presented, including an integrated low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) sealing process.Localized silicon-gold eutectic bonding, localized silicon-glass fusion bonding, localized solder bonding andlocalized CVD bonding process.Key words: CVD bonding; eutectic bonding; fusion bonding; MEMS packaging; solder bond工藝過(guò)程的- -部分融合在器件制造階段，雖然此方法1引言解決了單個(gè)器件的封裝需要，但是它不能解決多個(gè)微系統的封裝需要，特別是由芯片制造公司制造的很多隨著(zhù)微封裝作為器件商業(yè)化的瓶頸出現，微電機MEMS器件以及對軍用產(chǎn)品封裝工藝的需要。系統(MEMS)正在縮小傳感器和驅動(dòng)器使之進(jìn)入微MEMS后封裝工藝必須滿(mǎn)足幾個(gè)方面的要求:封納米規模。在傳統的集成電路制造中，封裝成本大約裝既不能損壞裝配制造前的MEMS微結構，也不能損占制造成本的三分之- -。MEMS封裝要求嚴格，原因傷微電子學(xué)方面的狀況:封裝應適用于很多應用領(lǐng)在于易損的微型結構以及通常要考慮的MEMS制造中域的不同中國煤化工采用比較成熟的技最昂貴的工藝步驟。建議應把MEMS封裝作為微電機術(shù)以節省YHC N M H G件要求真空密封,收稿日期: 2011-04-11-2-第11卷第7期楊建生: MEMS后封裝技術(shù)有的要求低溫封裝，為了達到這些要求，應重視幾“內部接觸”把兩個(gè)分離的表面結合在一起，“溫項關(guān)鍵要素:保護MEMS器件的封帽，不透氣密封度”提供壓焊能量。研究粗糙表面對陽(yáng)極壓焊工藝強壓焊，較低制造成本的晶圓級與成批處理，防止過(guò)程的影響可得出結論，表面有瑕疵會(huì )影響壓焊的MEMS器件受損的低溫處理。MEMS封裝工藝技術(shù)包參數包括溫度、時(shí)間和應力。雖然回流焊或機械拋括對封裝及壓焊技術(shù)的研討，以及采用局部加熱和光工藝能夠提高表面平直度，然而這些工藝過(guò)程并壓焊的MEMS封裝技術(shù)的創(chuàng )新方法。不方便適用于大部分MEMS制造工藝。在溫度方面,很多平常使用的壓焊方法諸如熔融和陽(yáng)極壓焊會(huì )損2 MEMS封裝技術(shù)壞器件并因高溫而導致熱應力問(wèn)題。另一方面為了獲得良好壓焊，提高加工溫度是不可避免的。多年來(lái)，人們對傳感器微電機及微封裝方面涉以前在MEMS器件中多采用硅壓焊技術(shù)，諸如及的MEMS封裝技術(shù)問(wèn)題以及微系統的封裝技術(shù)和壓力傳感器、微泵、生物醫學(xué)傳感器或化學(xué)傳感器分隔技術(shù)問(wèn)題進(jìn)行了研討，對化學(xué)傳感器采用環(huán)氧等，要求在基板上壓焊機械互連。通常在溫度大約樹(shù)脂焊接玻璃和硅、采用環(huán)氧樹(shù)脂研發(fā)多芯片模塊為300C ~ 450C的狀況下，把玻璃作為壓焊材料進(jìn)(MCM)型封裝技術(shù)工藝和不同的壓焊及互連材料行陽(yáng)極壓焊。在超過(guò)1000C的超高溫度狀況下，采也進(jìn)行了討論。涉及到封裝微化學(xué)傳感器的專(zhuān)用工用 不同種類(lèi)的硅熔融壓焊和Si-SiO2壓焊工藝，把低藝，研發(fā)了用于MEMS封裝技術(shù)的專(zhuān)用工藝，如微電共熔壓焊用于不同的應用中。機封裝技術(shù)、生物化學(xué)系統封裝技術(shù)及航空系統封硅熔融壓焊大部分用于絕緣體上硅(SOI) 技術(shù)裝技術(shù)。這些器件型封裝理論主要針對于單系統，中，諸如Si-SiO,壓焊和Si-Si壓焊。理論證明其壓焊還沒(méi)有取得作為通用的后封裝技術(shù)工藝理論用于有強度很高。由于溫度要求通常高于1000C，因此它嚴格低溫、氣密性密封和長(cháng)期穩定性工藝要求的不適用于MEMS后封裝技術(shù)。近年來(lái)出現了很多低MEMS。溫Si-Si壓焊工藝，這些新方法不得不使用專(zhuān)門(mén)針對采用表面微電機微殼的集成工藝，應用于犧牲MEMS后封裝不理想的表面處理。層和LPCVD密封，獲得晶圓片級后封裝技術(shù)，例如陽(yáng)極壓焊是在200C ~ 400C低于玻璃熔點(diǎn)并在反應密封方法，密封振動(dòng)微電機梁。采用外延硅密高電場(chǎng)協(xié)助下，把玻璃與金屬壓焊到一起。此技術(shù)封微結構，使用氮化硅密封機械梁作為光源，通過(guò)已廣泛應用于保護生物傳感器中的板上電子器件和埋置微結構和CMOS電路，完成- - 種新的裝配技術(shù)。壓力傳感器中的密封腔。對通過(guò)不同機理降低壓焊所有這些理論方法把MEMSI藝與后封裝工藝集成溫度的可能性進(jìn)行了討論，由于玻璃中過(guò)度的堿金化，不需要額外的壓焊工藝。屬污染、高電場(chǎng)對微電子器件可能的損壞以及壓焊近年來(lái)，業(yè)界研發(fā)出了幾種新的用于MEMS的平直表面的要求限制了把陽(yáng)極壓焊技術(shù)應用于MEMS后封裝技術(shù)工藝。一種先進(jìn)的MCM封裝技術(shù)采用高后封裝中。密度互連工藝，包括把裸芯片埋置到研磨前的基板除了以上固態(tài)類(lèi)硅壓焊技術(shù)之外，液態(tài)型壓焊之中。因為封裝工藝之后不得不釋放MEMS結構，因機理已被證明，金-一直是用于硅低共熔壓焊技術(shù)的此對通用的微系統而言是不理想的?；诃h(huán)氧樹(shù)脂最普通的材料。在363C金能夠與硅形成低共晶合壓焊的CMOS電路的傳送技術(shù)雖然克服了表面粗糙問(wèn)金，其熔化溫度大大低于純金或硅。為了得到良好題，但是環(huán)氧樹(shù)脂不是良好的氣密性封裝材料。使的低共熔鍵合，包括溫度和時(shí)間的工藝狀況不得不用2μm厚的多晶硅微帽硅-金低共熔壓焊技術(shù)的圓控制好。片到圓片真空封裝技術(shù)工藝，50天后試驗結果表明表1總結了所有MEMS封裝和壓焊技術(shù)及其限出現實(shí)質(zhì)性泄漏現象。制，也概述了采用局部加熱和壓焊的創(chuàng )新型壓焊方法，此方法目的是在確定的區域提供高溫以便獲得3晶圓壓焊技術(shù)良好的壓焊中國煤化工1S微結構和微電子學(xué)狀況，HCN MH。局部加熱方眾所周知，“內部接觸” 和“溫度”是壓焊工法引進(jìn)幾種新的機會(huì )，首先獲得了更好、更快的溫藝的兩個(gè)主要因素，并且壓焊是器件封裝的關(guān)鍵,度控制，其次應用較高的溫度來(lái)提高壓焊質(zhì)量，再第11卷第7期電子與封裝次在MEMS應用中進(jìn)行探索要求高溫諸如釬焊的新的壓焊機理。表l壓焊機理匯總表(LH=局 部加熱)壓焊方法溫度粗糙度密封性后封裝可靠性融合壓焊很高高度敏感是是(通過(guò)LH)好陽(yáng)極壓焊中等困難環(huán)氧樹(shù)脂壓焊氐低否集成壓焊高低溫壓焊低共熔壓焊釬焊用立下全局加熱工藝能夠密封梳狀形態(tài)微共振器。4 MEMS后封裝技術(shù)標準IC切片線(xiàn)微封裝圖1示出了由Analog Device公司制造的微加速度互連計，此器件上最易損的部件是中心的力學(xué)傳感器,接觸焊盤(pán)該傳感器為獨立式力學(xué)質(zhì)量彈簧微結構，在封裝和電路區域處置過(guò)程中保護此力學(xué)部件很重要。再者，在諸如共振加速度計或陀螺儀的應用中，這些微結構要求真空密封。圖2示出了局部加熱和壓焊的MEMS后封裝技術(shù)簡(jiǎn)圖。裝配有恰當設計的微型腔的封裝帽.硅基板.絕緣層、微加熱器和微膠層，以便密封并保護易受圖3 MEMS后封裝技術(shù)概念簡(jiǎn)圖損的MEMS結構作為第一-級MEMS后封裝工藝。 隨后圖4給出了制造工藝的橫斷面圖，首先采用四個(gè)按如圖3所示把晶圓劃片，并按現有封裝技術(shù)完成最掩模確定第一多晶硅層、基底固定器、凹痕以及第后的封裝。二多晶硅層，完成如圖4 (a)所示的標準的表面微電機工藝。在標準表面微電機工藝中，蝕刻犧牲層(氧化物)以便釋放微結構。在MEMS后封裝工藝中，淀積7 μ m厚的PSG玻璃覆蓋微結構，并采用5 :1 BHF布圖來(lái)確定如圖4 (b) 所示的微殼區域。接者淀積1 μ m薄的PSG層并確定以便形成如圖4 (c) 所示的蝕刻通道。淀積1 μ m厚的微殼材料低應力氮化圖1有集成電路的MEMS傳感器硅，確定蝕刻孔并采用等離子蝕刻機在氮化硅.上打開(kāi)。封裝殼內部的二氧化硅通過(guò)集中的HF蝕刻，采↓應用力用超臨界二氧化硅干燥工藝干燥晶圓片。完成這些腔體微封裝基板_絕緣層步驟之后，應用圖4 (d) 所示的工藝，在淀積壓力.微加熱器_ 島離隔離為3x 10*的狀況下淀積2 u m厚的LPCVD低應力氮化壓焊材料物，以便在真空狀況下密封封裝殼。隨后打開(kāi)如圖4(e)所示的接觸焊盤(pán)。MEMS器件圖5為在頂部有受保護微殼的完成器件的掃描電硅基板子顯微鏡(SEM)照片。封裝總面積(微殼)大約圖2通過(guò)局部加熱壓焊的MEMS后封裝簡(jiǎn)圖為400 umx{中國煤化工(化物的接觸焊4.1全局 加熱的MEMS后封裝技術(shù)盤(pán)。由于集MHCNMHG上反射出微諧在基于全局加熱計劃之前已證明幾種MEMS后封振器形狀為長(cháng)150μm、寬2μ m的梁?？煽闯隽⒂诨b技術(shù)工藝，采用LPCVD的集成真空密封工藝。與板之上氮化物殼的總高度為12 μm,封裝內部梳狀諧局部加熱和壓焊工藝進(jìn)行比較，在晶圓級真空狀態(tài)振器的光譜測量表明已完成了大約2x 10的真空級。-4第11卷第7期楊建生: MEMS后封裝技術(shù)局部加熱壓焊的MEMS后封裝技術(shù)解決了全局加凹痕、梳狀共振器、第一多晶硅熱影響的問(wèn)題。本文中使用電阻微加熱器提供局部共振器鋪加熱。為了控制壓焊和封裝工藝，使微加熱器具有熱氧化物、硅基板熱傳遞性是很重要的。以線(xiàn)形微加熱器能量守恒為(a)基礎建立一維電熱模型，使用熱傳導形體因素計算I2PSQ梳狀共振器熱傳遞并得出公式:0T_ IaT+s(T-T,)(1)品硅基板x“ai(b)這里T為微加熱器的溫度，表示時(shí)間，8 為加熱薄PSG器的熱擴散性，ε 和T,為與結構尺寸、熱特性、輸入電流和熱傳導形體因素有函數關(guān)系的參數。溫度曲線(xiàn)穩定狀態(tài)的解為:(c)氮化硅.cosh[VE(x-蝕刻孔T(x)=T,-(T,-T)-(2)cosh(Vε(d)L為微加熱器的總長(cháng)度，圖6示出了涂磷多晶硅電阻器(50μmx2μmx0.5μm)輸入電流-溫度模真空接觸焊盤(pán)擬圖?？煽闯鲈谳斎腚娏鳛?1mA的狀況下，加熱器可產(chǎn)生大約300C的溫度。更重要的是，在加熱器的中央區域溫度曲線(xiàn)是均勻--致的，這有助于在局部(e)加熱壓焊工藝中的溫度控制。圖4通過(guò)全局加熱集成MEMS后封裝工藝50 r1-11mA氮化物殼50 t1=10mA1 =8mA_100!-6mA20KU X48909.4 10. ou MsHI50- 1-4mA圖5采用全局LPCVD密封集成MEMS后封裝工藝封裝的微共振器SEM照片1020， 30 404.2 局部加熱MEMS后封裝技術(shù)圖650um長(cháng)多晶硅微加熱器上的溫度分布圖以上全局加熱的MEMS后封裝技術(shù)存在幾個(gè)方面當加熱壓焊材料時(shí)，用有限元法分析模擬斷面的缺點(diǎn):其一，在標準的表面微電機工藝之后使用熱傳遞過(guò)程，此模擬把硅用作基底材料，把單個(gè)二了幾個(gè)高溫步驟，由于局部加熱影響，電路或溫度氧化硅層用作鈍化層，在高溫狀況下把加熱器置于敏感性材料很容易受到破壞;其二，這一后封裝工器件基底的頂部，如圖7所示，斷面圖上的穩定狀藝依賴(lài)于工藝過(guò)程，MEMS封裝公司或研究機構不得態(tài)等溫線(xiàn)表明高溫區域被限制在圍繞加熱器的小范不采用具有自身微制造工藝技術(shù)的后封裝工藝，而圍之內。例中國煤化工為1000C，在不能用于多個(gè)用戶(hù)的MEMS封裝:其三，采用通常為.進(jìn)人絕緣層iHCNMH G度快速下降到幾個(gè)微米范圍的薄膜淀積限制了微殼的厚度，在最10%，僅為100C。在加熱期間硅基板保持室溫，因后的封裝工藝階段薄型微殼要承受高壓塑料模塑,此在晶圓級狀況下局部加熱不影響微電子或別的對存在很大的隱患。溫度敏感的材料。-5-第11卷第7期.電子與封裝3ImA的輸入電流加熱微加熱器5min內獲得的溫度非0.1常接近多晶硅的熔點(diǎn)溫度。在顯微鏡下實(shí)時(shí)觀(guān)察微加熱器的發(fā)光顏色以便確認高溫狀態(tài)。不同于常規的需要超過(guò)2b的熔融壓焊試驗，局部硅-玻璃熔融壓空氣焊在Smin.之內完成。0.8μm .二氧化鏈1.0微加熱器顯微鏡目標透鏡電源微操作手硅基板0-圖7顯示溫度等溫線(xiàn)的FEM模擬斷面圖微加熱器接觸焊盤(pán)5局部壓焊工藝Si硅器件基板電探針根據局部加熱的概念，介紹了MEMS后封裝技術(shù)的幾個(gè)局部壓焊工藝，包括局部低共熔壓焊、局部二氧化硅熔融壓焊、局部焊料壓焊和局部CVD壓焊。5.1 局部硅-金低共熔壓焊圖8局部加熱壓焊試驗的實(shí)驗設置硅-金低共熔壓焊已廣泛應用于微裝配中，在相金微加熱器對較低的壓焊溫度(363C) 下，提供高壓焊強度和良好的穩定性。在局部硅-金低共熔壓焊中，首先二氧化硅層把硅基板進(jìn)行熱氧化，生成1 μ m厚的氧化物作為熱電絕緣層，使用0.05 μ m厚的鉻層作為粘附材料淀積0.45 μ m厚的金。線(xiàn)型微加熱器的寬度為7μm，通過(guò)858 10KU提起工藝確定。使用大約1MPa的壓力把干凈的硅帽圖9通過(guò)全局加熱法的硅-金低共熔壓焊結果基板放置到這些器件基板的頂部，依次通過(guò)全局加熱和局部加熱引導和比較兩個(gè)低共熔壓焊試驗，對刺離金線(xiàn)傳統的低共熔壓焊工藝而言，使溫度上升到410C大約需要Ih,保持10min并冷卻到室溫。通過(guò)采用輸入電流依據公式(2) 的電熱模型達到大約800C的溫度，局部低共熔壓焊工藝需要少于Smin的時(shí)間，實(shí)驗設置如圖8所示。在完成壓焊工藝并在掃描電子顯003 1K018Pe HD47微鏡下檢查器件基板之后，打開(kāi)硅-金低共熔壓焊。圖10采用局部硅一金低共熔壓焊的結果圖9和圖10依次示出了采用全局和局部加熱法的壓焊用力使熔融壓焊破裂，在掃描電子顯微鏡下檢結果。在圖9中可鑒別不-致的壓焊特性，在圖10中查，圖11示出了在硅器件基板上拍攝的SEM微照片，整個(gè)金線(xiàn)被剝掉，然而顯示出封帽部分的硅破裂，可清晰地發(fā)現二氧化硅層、多晶硅微加熱器和玻璃留在器件基板上。這些試驗結果表明局部硅-金低共帽。在此照片中，可看出在靠近接觸微加熱器區域的熔壓焊是一致的，具有的壓焊強度和硅的斷裂韌性玻璃熔化并再成形，微照片呈現出兩個(gè)非常重要的局一樣強。部熔融壓焊試驗特征。其一，很容易在非常短的時(shí)5.2局部硅一玻璃熔融壓焊間內升高溫月中國煤化工20C的熔化溫通過(guò)使用如圖8所示的相同的實(shí)驗設置，完成局度;其二，MHCNMH G和壓焊器件基部硅一玻璃熔融壓焊。硅器件基板的結構采用1 μm板之間親密接觸。接著(zhù)把圖11的樣品浸泡在與氧化物厚熱氧化物和1.1 μm厚多晶硅為微加熱器。放置和玻璃反應而不與硅或多晶硅反應的HF溶液中，圖硼硅酸耐熱玻璃并壓焊到多晶硅微加熱器的頂部。12示出了在圖11相同位置顯示的結果，清楚地描繪出-6-第11卷第7期楊建生: MEMS后封裝技術(shù)了多晶硅加熱器的外形。在圖11中不能觀(guān)察到多晶硅藝在2min內完成。用力使壓焊破裂，檢查壓焊接口，-玻璃接口，而僅僅在HF浸泡之后顯示出來(lái)的事實(shí)暗圖14示出了淀積和布圖工藝之后焊接材料的狀況，在示出形成了強大的熔融壓焊。然而，此多晶硅-玻璃此圖中示出了兩個(gè)重要的封裝問(wèn)題:其- -，所示的互熔融壓焊看起來(lái)比原來(lái)的多晶硅-氧化物粘附壓焊牢連形成上升步驟，此表面粗糙度問(wèn)題是現存壓焊工藝固得多，原因在于破裂軌跡看.上去發(fā)生在多晶硅-氧諸如熔融或陽(yáng)極壓焊的失效根源;其二，雖然作為淀化物接口處。所有這些結果表明通過(guò)局部加熱壓焊能積的焊接材料具有粒狀結構，但是在局部焊料壓焊工夠獲得良好的硅-玻璃熔融壓焊。藝之后，焊料實(shí)際上可回流形成如圖15所示的平整表面。因此，局部焊料壓焊法可克服表面粗糙問(wèn)題，并熔化玻璃通過(guò)焊料回流形成良好的覆蓋面。多晶硅微加熱器熱氧化物氧化研硅8082 Leru X6,500 1PE L025多晶硅互連圖11局部硅-玻璃融合壓煤(用力打破壓焊之后)坡璃封裝帽:名品6圖14局部銦焊料壓焊(在焊料壓焊之前銦淀積之后):有化研磚華板多品G連圖12在HF溶液授泡后多晶硅微加熱器狀況8019 LOKU5.3局部焊料壓焊圖15局部銦壓焊之后銦焊料回流圖焊料壓焊技術(shù)廣泛應用于集成電路封裝中的連接芯片工藝中，例如在360C的溫度狀況下常用的Pb-Sn5.4局部CVD壓焊焊料壓焊工藝。依據全局加熱，把幾種焊料材料應用全局LPCVD真空密封在前面MEMS后封裝技術(shù)于MEMS封裝。在局部焊料壓焊試驗中引入了中間層中進(jìn)行了闡述，雖然高溫問(wèn)題和相關(guān)工藝已對潛在的概念，圖13示出了樣品準備的簡(jiǎn)圖。在硅器件基板的MEMS封裝應用形成阻礙，但是局部加熱提供了完上生長(cháng)1 μ m厚的熱氧化物層，此工藝繼續用1 u m厚成CVD密封的方法，從而避免了那些缺陷。的磷摻雜多晶硅淀積并確定來(lái)仿真互連線(xiàn)。在互連線(xiàn)為了顯示局部CVD壓焊工藝，做好如圖16 (a)的頂部淀積- -層0.15 μ m厚的LPCVD氧化硅作為電隔所示的兩個(gè)基板的準備工作，基板由硅構成并加熱離層。接著(zhù)把磷摻雜多晶硅微加熱器進(jìn)行淀積并布圖生長(cháng)一層1.2μ m厚的熱氧化物作為隔離層。淀積形成微加熱器，淀積一層0.15 μ m厚的LPCVD氧化硅磷摻雜多晶硅并依次在器件基板上進(jìn)行布圖作為進(jìn)行電隔離。焊接材料包括0.05 μ m的鉻，0.45 μ m的互連線(xiàn)和在封裝帽.上的微加熱器，接著(zhù)在器件基板金為粘附材料，并淀積3 μ m厚的鋼。上淀積一層1.4μ m厚的等離子加強化學(xué)汽相淀積(PECVD)作為電熱隔離層。把器件和封裝基板壓鋼+鉻/金耐熱玻璃帽在一起并置于硅烷室中，通過(guò)輸入40mA電流生成高M(jìn)EMS器件區城互連溫來(lái)激活局部硅烷的分解。根據公式(2) 的電熱模"氧化物.型，估計溫度中國煤化工和壓焊工藝如硅器件基板圖16 (b) 所HCNMHG用力使CVD壓圖13局部焊料壓焊試驗樣品簡(jiǎn)圖焊破裂以便檢查。圖17和圖18依次示出了器件基板如圖8所示在壓焊階段實(shí)施壓焊工藝，施壓和封裝帽的照片，發(fā)現最初淀積在封裝帽上的微加0.2MPa，微加熱器的溫度估計升高到300C，壓焊工熱器如圖18所示被分離，粘附在如圖17所示的器件-7。第11卷第7期電子與封裝基板上。局部CVD多晶硅層徹底填補了器件與封帽藝的依賴(lài)性，因此通常對MEMS后封裝應用而言是不基板之間的縫隙。再者，CVD多晶硅壓焊比多晶硅適用的。局部加熱和壓焊工藝可解決這些問(wèn)題，并通熱氧化物粘附壓焊更牢固。在圖18中只有兩個(gè)痕跡過(guò)試驗證明，包括局部硅-金低共熔壓焊、局部硅一的材料可看出，它們是微加熱器邊緣.上淀積的CVD玻璃熔融壓焊、局部焊料壓焊和局部CVD壓焊，這些多晶硅。新工藝提供了完成MEMS后封裝技術(shù)的有效方法。在成功地把局部加熱和壓焊應用于MEMS后封裝多晶硅_局部CVD多晶硅技術(shù)之前，在理論和試驗領(lǐng)域應仔細研究幾個(gè)基本微加熱器封裝帽(硅)封裝帽(硅)且具有挑戰性的問(wèn)題。研討的特定范圍如下: (1)PECVD氧化物w對穩定狀態(tài)、瞬時(shí)運作及在晶圓級狀況下加熱的影熱氧化物響而言，局部加熱與壓焊的模型和模擬; (2) 局部多晶硅露件基板(硅)器件基板(硅)互連壓焊機理和工藝諸如溫度、時(shí)間、施加壓力和表面(a)壓焊前(b)壓焊后粗糙度的影響的特征: (3) 局部壓焊長(cháng)期穩定性的圖16局部CVD壓焊工藝簡(jiǎn)圖調研諸如張力試驗、剪切試驗、氣密性及與時(shí)間.惡劣環(huán)境和加速試驗有關(guān)的泄漏，(4) 通過(guò)實(shí)施批量生產(chǎn)局部加熱和壓焊MEMS后封裝制定大規模生產(chǎn)的計劃及工藝。圖17粘附于器件基板上的微加熱器局部CVD壓焊參考文獻:[1] Y.T.Cheng,L.Lin, K.Najafi. 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